1.一种诱导(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜制备方法，它包括衬底薄膜，其特征是，还包括掺杂剂，在衬底薄膜与掺杂剂制备出掺杂的衬底薄膜之后，使得(Sb4Se6)n分子链能够与衬底薄膜形成共价键，形成沿着垂直于衬底薄膜方向的纵向生长，最终诱导出纵向择优的硒化锑光电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种诱导(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜制备方法，其特征是，采用一步法制备硒化锑光电薄膜：将掺杂剂直接掺入衬底薄膜之中，掺杂剂为化合物CdCl2、SnCl3和ZnCl2中至少一种，或者单质元素Cd、Zn和B中至少一种，掺杂浓度为

0.01%-20%制备得到所述掺杂的衬底薄膜；应用制备得到所述掺杂的衬底薄膜，采用热蒸发法，真空度为0.1-10 Pa，衬底薄膜温度为200-400℃，蒸发源温度为400-600℃；蒸发时间为

30-120s，制备得到(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种诱导(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜制备方法，其特征是，采用二步法制备硒化锑光电薄膜：将掺杂剂旋涂在衬底薄膜表面，所述掺杂剂为化合物CdCl2、SnCl3和ZnCl2中的至少一种，或者单质元素如Cd、Zn和B中的至少一种，掺杂浓度为0.01%-20%，通过退火处理完成掺杂过程形成掺杂的衬底薄膜，退火温度为300-

600℃，退火时间为2-100 min；应用制备得到所述掺杂的衬底薄膜，采用热蒸发法，真空度为0.1-10Pa；衬底薄膜温度为200-400℃，蒸发源温度为400-600℃，蒸发时间为30-120s，制备得到(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜。