1.一种Ni单原子/氧缺陷钨酸铜光阳极的制备方法，其特征在于由以下步骤组成：1)将聚乙烯醇旋涂至FTO玻璃表面，增强FTO表面的粘性，固定FTO玻璃于静纺装置的滚筒上，将聚丙烯腈粉体加入二甲基甲酰胺溶液中，搅拌过夜，后转至静电纺丝机，通高压电拉丝成纳米纤维，收集FTO表面的纳米纤维，先250℃低温预处理，后900℃高温碳化处理，获得碳纳米纤维电极CNFs；所述高压电为15kV、16kV或18kV；2)配制铜盐和钨酸盐的前驱体水溶液，转入反应釜中，将CNFs电极加入到该前驱体溶液中，密封，置于恒温干燥箱中保温一定时间，水热完毕，水洗多次，获得CuWO4/CNFs复合纤维，空气条件下高温煅烧，去除CNFs硬质模板，获得中空结构的CuWO4纳米纤维电极；3)利用空气等离子体对CuWO4电极进行射频放电改性处理，设置等离子体清洗机的处理时间、功率和空气流量参数，获得表面氧缺陷的CuWO4薄膜；4)将所制备的氧缺陷CuWO4薄膜浸泡至金属Ni的前驱体溶液中，暗吸附，之后取出，水洗，配制一定浓度的NaBH4水溶液，鼓氮气，排尽溶液中的氧气，将吸附有Ni前驱体的CuWO4薄膜放置于NaBH4水溶液中一段时间，Ni离子被还原为单质Ni，实现单原子Ni在CuWO4薄膜表面的负载。2.根据权利要求1所述的一种Ni单原子/氧缺陷钨酸铜光阳极的制备方法，其特征在于，步骤2所述铜盐为硝酸铜或醋酸铜中的一种，钨酸盐为钨酸铵。3.根据权利要求1所述的一种Ni单原子/氧缺陷钨酸铜光阳极的制备方法，其特征在于，步骤3所述空气等离子体处理参数为：时间10‑500s，功率50‑200W，空气流量为5‑200ml/min。4.根据权利要求1所述的一种Ni单原子/氧缺陷钨酸铜光阳极的制备方法，其特征在于，步骤4所述Ni的前驱体为NiCl2、Ni(NO3)2或者Ni(CH3COO)2中的一种。5.根据权利要求1所述的一种Ni单原子/氧缺陷钨酸铜光阳极的制备方法，其特征在于，步骤4所述Ni的前驱体浓度为0.01‑10mmol/L。6.根据权利要求1所述的一种Ni单原子/氧缺陷钨酸铜光阳极的制备方法，其特征在于，步骤4所述NaBH4水溶液浓度为0.1‑1mol/L。