1.一种非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置，其特征在于：包括激光系统、双光路系统和沉积系统；

所述激光系统包括脉冲激光器(1)，用于发射高能激光束；

所述双光路系统包括分光镜(2)、第一反射镜(4)、第一聚焦透镜(5)、第一激光窗口(6)、第二反射镜(8)、第二聚焦透镜(9)、第二激光窗口(10)；所述脉冲激光器(1)发出的高能激光束经分光镜(2)分为两束激光光路，为第一激光光路(3)和第二激光光路(7)；所述第一激光光路(3)分别经过第一反射镜(4)、第一聚焦透镜(5)和第一激光窗口(6)照射到In靶材(22)上；所述第二激光光路(7)分别经过第二反射镜(8)、第二聚焦透镜(9)和第二激光窗口(10)照射到GaN靶材(21)上；所述In靶材(22)和GaN靶材(21)组成In/GaN双靶材(16)，其表面被照射区域瞬间被烧蚀产生等离子体羽辉(18)；

所述沉积系统包括沉积室(20)、进样室(15)、用于安装In/GaN双靶材(16)的靶盘和用于加热p-Si衬底(17)的加热器(19)；所述沉积室(20)四周安装有第一激光窗口(6)、第二激光窗口(10)、观察窗口(11)、电机(12)、真空系统(13)和进样室(15)；其中，所述电机(12)和真空系统(13)平行相对设置，观察窗口(11)和进样室(15)平行相对设置；电机(12)位于第一激光窗口(6)和第二激光窗口(10)的中间位置，且电机(12)机轴连接加热器(19)。

2.根据权利要求1所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置，其特征在于：所述靶盘包括盘体、环形通气管(23)和进气管(24)；所述In/GaN双靶材(16)安装在盘体，且被环形通气管(23)环绕；所述环形通气管(23)与进气管(24)相连通，环形通气管(23)四周均匀设有若干个通气孔。

3.根据权利要求2所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置，其特征在于：所述In/GaN双靶材(16)由环形GaN靶材(21)套在圆形In靶材(22)的外面组成。

4.根据权利要求1所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置，其特征在于：所述进样室(15)内设有真空阀(14)。

5.根据权利要求1所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置，其特征在于：所述脉冲激光器(1)为KrF准分子激光器。

6.一种非晶InGaN/Si异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：一、衬底清洗；

对p-Si衬底依次用蒸馏水、HF溶液、丙酮、无水乙醇和去离子水各超声清洗4～10min，然后用氮气快速烘干；

二、衬底及In/GaN双靶材的安装；

将GaN靶材和In靶材安装到靶盘，置于沉积室中的固定位置，将处理后的衬底安装到进样室样品盘上，待进样室与沉积室真空度调控至10-5Pa数量级或以上，将样品盘推送进沉积室；

三、沉积参数设置；

设定N2分压为5～20Pa，靶材与衬底的距离为40～100mm，激光脉冲能量为50～400mJ/Pluse，脉冲频率在1～20Hz内调节；

四、靶材预溅射；

用挡板将衬底挡住，打开脉冲激光器，脉冲激光器发出的高能激光束经分光镜分为两束激光光路，分别照射到In靶材和GaN靶材上；预溅射两个靶材4～10min以清除靶材表面残留污染物；

五、非晶InGaN薄膜沉积；

衬底温度加热至20～600℃，打开挡板，对沉积室通入N2，设定N2分压为5～20Pa，靶材与衬底的距离为40～100mm，激光脉冲能量为50～400mJ/Pluse，脉冲频率在1～20Hz内调节，沉积时间为1～4h；

六、沉积结束；

关闭系统，待非晶InGaN薄膜冷却至室温后，按装样的逆过程将其取出；

七、非晶InGaN/Si异质结太阳电池的制备；

在非晶InGaN薄膜(26)表面溅射Au金属欧姆电极(25)，在p-Si衬底(17)背面溅射In-Ga合金欧姆电极(27)，即完成非晶InGaN/Si异质结太阳电池的制备。

7.根据权利要求6所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述In/GaN双靶材的纯度为5N级。

8.根据权利要求6所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述非晶InGaN薄膜的厚度为50～500nm。

9.根据权利要求6所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述非晶InGaN薄膜表面用离子溅射法制备Au金属欧姆电极，在p-Si衬底背面采用磁控溅射法制备In-Ga合金欧姆电极。

10.根据权利要求6所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：采用如权利要求1-5任一所述的非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置。