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专利号: 2020104345798
申请人: 青岛科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种二硫化钒与黑磷复合电极材料的制备方法,其特征在于:首先对黑磷进行剥离;

其次对二硫化钒进行剥离;最后将二硫化钒与黑磷进行复合得到二硫化钒与黑磷复合电极材料;

对二硫化钒进行剥离的具体步骤为:将钒酸盐和硫代乙酰胺溶于去离子水中,搅拌至形成均匀的溶液,然后转移到聚四氟乙烯内衬的高压釜中,在160℃下保持24小时,之后冷却至室温;离心收集黑色沉淀VS2·NH3,用去离子水洗涤数次备用;将VS2·NH3用水分散于锥形瓶中,然后用氩气鼓泡,得到弥散液;将上述弥散液在冰浴中超声处理3小时,合成的黑色悬浮液使用中速定性滤纸进行过滤,得到VS2纳米片的半透明溶液;

复合的具体步骤为:将剥离的黑磷和二硫化钒按1:1得比例加入到N‑甲基吡咯烷酮中,然后转移到聚四氟乙烯内衬的高压釜中,在160℃下保持5小时,之后冷却至室温;然后重复

10000r/min高速离心三次,得到二硫化钒与黑磷复合电极材料。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:将黑磷加入到N‑甲基吡咯烷酮中,在冰浴中进行超声,然后1500r/min低速离心三次,分别取上清液,合并上清液并将其10000r/min高速离心后取沉淀。

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述钒酸盐为Na3VO4·12H2O。

4.一种权利要求1中的方法制备的二硫化钒与黑磷复合电极材料,其特征在于:复合材料呈现多孔纳米二维片层结构,片层与片层之间紧密搭接。