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专利号: 2020104587640
申请人: 南通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-11-18
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有双阻带的近零折射率超材料,包括基板(12),其特征在于,还包括按照周期性排列等间距设置在基板(12)顶面上的多个谐振结构基础单元;所述谐振结构基础单元为

8字型谐振器结构。

2.根据权利要求1所述的具有双阻带的近零折射率超材料,其特征在于,所述多个谐振结构基础单元之间的横向距离与纵向距离相等。

3.根据权利要求1所述的具有双阻带的近零折射率超材料,其特征在于,所述基板(12)为印刷电路板;所述8字型谐振器结构印制于印刷电路板的顶面。

4.根据权利要求1所述的具有双阻带的近零折射率超材料,其特征在于,所述8字型谐振器结构为一根金属带线弯折构成,包括依次垂直连接的第一段金属带线(1)至第十一段金属带线(11);所述第一段金属带线(1)、第三段金属带线(3)、第五段金属带线(5)、第七段金属带线(7)、第九段金属带线(9)及第十一段金属带线(11)分别相互平行设置;所述第二段金属带线(2)、第四段金属带线(4)、第六段金属带线(6)、第八段金属带线(8)及第十段金属带线(10)分别相互平行设置。

5.根据权利要求1所述的具有双阻带的近零折射率超材料,其特征在于,所述8字型谐振器结构的纵向长度数值约为近零折射率频带中心频率对应的0.1个真空波长;所述8字型谐振器结构的横向宽度数值约为近零折射率频带中心频率对应的0.11个真空波长。