1.一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，其特征在于：电路包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源VD；直流电压源VD的负极与地端相连，正极与电阻R的一端相连；电阻R的另一端与电容C、电感L的一端相连；电感L的另一端与S型局部有源忆阻器LAM相连；S型局部有源忆阻器LAM的另一端与电容C的另一端相连后与地端相连；

所述S型局部有源忆阻器LAM的数学模型为：

其中i,v,x分别为流经S型局部有源忆阻器LAM的电流、S型局部有源忆阻器LAM两端的电压和S型局部有源忆阻器LAM的状态变量，d2,d0,α1,α′0,β′1都是常数。