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专利号: 202010484312X
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电子电路
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于N型局部有源忆阻器的自治混沌电路,其特征在于:由一个N型局部有源忆阻器、一个电感L、一个直流电压源VD和一个正弦交流电压源vD组成;直流电压源VD的负极与地端相连,正极与正弦交流电压源vD的负极相连;正弦交流电压源vD的正极连接电感L的一端,电感L的另一端与N型局部有源忆阻器相连;N型局部有源忆阻器的负极与地端相连;

所述N型局部有源忆阻器数学模型为:

                       (1);

其中i, v, x分别为流经N型局部有源忆阻器的电流、N型局部有源忆阻器两端的电压和N型局部有源忆阻器的状态变量,d2、d0分别表示与电流相关的2次幂、0次幂展开系数, τ用来改变忆阻器状态变量的变化速率, α0、α1分别表示与状态变量相关的0次幂、1次幂展开系数, β1表示1次幂展开系数。