1.反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构，为周期性阵列结构，其特征在于每个单元沿x、y轴无缝排布；每个单元由工作在不同频段的第一、第二有耗谐振器，第一T型直流供电导线，第一金属反射面组成；

所述的第一有耗谐振器为低频谐振器，由第一介质板、印制在第一介质板上下两表面的第一平行金属双线和加载了第一电阻的第一金属曲折线组成；第一金属曲折线位于第一介质板的一端，且第一金属曲折线的一端与位于第一介质板下表面的第一平行金属双线一端连接，另一端接y轴相邻结构单元的第一介质板上表面的第一平行金属双线一端；所述第一介质基板的长宽分别沿z轴和x轴延伸，上下厚度沿y轴延伸，x、y、z轴构成直角坐标系；

所述的第二有耗谐振器为高频谐振器，由第一金属过孔，加载了两个射频二极管、第二电阻的第一金属直线组成；第一金属过孔贯穿第一介质板；第一金属直线的一端接第一金属过孔，另一端接相邻结构单元的第一金属过孔；

所述的第一T型直流供电导线与第二有耗谐振器相连；利用第一T型直流供电线通过第一金属过孔对射频二极管进行电压控制；

所述的第一金属反射面与第一介质板垂直设置，且沿z轴远离第一金属曲折线端。

2.根据权利要求1所述的反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构，其特征在于第一T型直流供电导线由z轴向金属线与x轴向金属线构成；z轴向金属线与第二有耗谐振器的第一金属过孔以及y轴向相邻单元的第一金属直线相连，x轴向金属线的两端与x轴向相邻单元的第一T型直流供电导线x轴向金属线相连；保证了每个单元中只有一个T型直流供电导线，消除了引入直流供电导线而引起的寄生谐振模式。

3.根据权利要求1所述的反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构，其特征在于第一金属曲折线的宽度wm须满足条件w1≤wm≤6*w1，其中w1表示第一平行金属双线的宽度。

4.根据权利要求1所述的反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构，其特征在于所述的第二有耗谐振器与第一金属反射面的最短距离d1满足条件4b/9≤d1≤5b/9，b表示第一金属反射面x轴方向的宽度。

5.根据权利要求1所述的反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构，其特征在于所述的第一T型直流供电导线与第一平行金属双线的最短x轴向宽度距离d2满足条件0.2b≤d2≤0.8b，b表示第一金属反射面x轴方向的宽度；第一T型直流供电导线与第一金属反射面的距离d1‑l1满足0.4*(L‑l)≤(d1‑l1)≤0.6*(L‑l)，避免金属结构过度靠近从而产生耦合引起谐振影响性能；其中l1表示第一T型直流供电导线的z轴向金属线长度，L表示第一介质板z轴向的长度，l表示第一平行金属双线z轴向的长度，d1表示第一金属过孔到第一金属反射面的距离。

6.根据权利要求1所述的反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构，其特征在于当电磁波射入结构表面时，第一有耗谐振器结合第一金属反射面工作时会在基模频率处和三阶模频率处各形成一个吸波带，而在二阶模频率处形成一个宽反射带；第二有耗谐振器结合第一金属反射面工作时，会形成一个吸波带，该吸波带的工作频率与第一有耗谐振器的二阶模频率相同；因此第一、第二有耗谐振器工作频率互补。

7.根据权利要求6所述的反射带可开关型三维宽带吸收式频率选择结构，其特征在于利用外部电压对第二有耗谐振器进行控制，当二极管导通时，第二有耗谐振器工作，第一有耗谐振器在二阶模处将无法吸收的电磁波吸收，从而形成一个极宽的完整的吸波带；当二极管关断时，第二有耗谐振器不工作，仅有第一有耗谐振器工作，整个结构在其基模频率和三阶模频率处形成宽吸波带，而在二阶模频率处呈现宽带反射特性。