1.一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：步骤A：部分去除单模光纤或少模光纤一侧的包层，得到一个平行于纤芯中轴线的平面；

步骤B：在步骤A所得到的平面上继续刻蚀形成两条沟槽；两沟槽内侧壁的间距小于光纤基模尺寸。

2.一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：部分去除单模光纤或少模光纤双侧的包层，形成两个相对的平面；

步骤B：在步骤A形成的两平面上，刻蚀形成两个沟槽；沟槽底部与光纤中轴线间的距离小于光纤基模模场分布半径。

3.如权利要求1所述的一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法，其特征在于，所述两条沟槽的边缘为直线，所述直线互相平行。

4.如权利要求3所述的一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法，其特征在于，所述两条沟槽相对于光纤中轴线成对称分布。

5.权利要求1或2所述制备方法获得的干涉器在制备光纤传感器方面的应用。