1.一种Cd3Cl2O2薄膜制备方法，其特征是，它包括：将氯化镉溶于去离子水中，配制成浓度为0.1～10mg/mL氯化镉水溶液；将基底放在加热台上加热，加热台的温度为100～500℃；

采用超声喷雾设备在基底上喷涂氯化镉水溶液，喷涂速率为0.5～2mL/min，喷涂时间为5～

40min，喷涂距离为10～15cm，喷涂后形成厚度为20～200nm的Cd3Cl2O2薄膜半成品，再将厚度为20～200nm的Cd3Cl2O2薄膜半成品经温度为200～500℃，退火时间为10～30min退火处理，得到Cd3Cl2O2薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种Cd3Cl2O2薄膜制备方法，其特征是，制备得到的Cd3Cl2O2薄膜。

3.一种具有Cd3Cl2O2薄膜的薄膜太阳能电池，其特征是，包括：透明导电薄膜、Cd3Cl2O2薄膜、吸光层、空穴传输层和金属电极层依次相接触。

4.一种具有Cd3Cl2O2薄膜的薄膜太阳能电池，其特征是，包括：不锈钢衬底、金属电极层、空穴传输层、吸光层、Cd3Cl2O2薄膜、透明导电薄膜和金属栅线电极依次相接触。

5.根据权利要求3或4所述的一种具有Cd3Cl2O2薄膜的薄膜太阳能电池，其特征是，所述的透明导电薄膜是掺硼、铝和镓的氧化锌薄膜、掺氟二氧化锡薄膜和氧化铟锡薄膜中至少一种，膜厚为20～200nm。

6.根据权利要求3或4所述的一种具有Cd3Cl2O2薄膜的薄膜太阳能电池，其特征是，所述的吸光层是碲化镉薄膜、钙钛矿薄膜、硒化锑薄膜或硫化锑薄膜中的一种，厚度为200～

1500nm。

7.根据权利要求3或4所述的一种具有Cd3Cl2O2薄膜的薄膜太阳能电池，其特征是，所述的空穴传输层是氧化镍薄膜、氧化铜薄膜、氧化钼薄膜或P3HT薄膜中至少一种，厚度为50～

200nm。

8.根据权利要求3所述的一种具有Cd3Cl2O2薄膜的薄膜太阳能电池，其特征是，所述的金属电极层是金、银、铜或铝薄片，厚度为50～500nm。

9.根据权利要求4所述的一种具有Cd3Cl2O2薄膜的薄膜太阳能电池，其特征是，所述的金属电极层和金属栅线电极为金、银、铜或铝薄片，厚度为50～500nm。