1.一种直拉法制备硅单晶用单晶炉，包括炉体(1)，炉体(1)顶部开设有炉口(2)，炉体(1)底部开设有排气口(3)，炉体(1)内腔的顶部活动安装有导流筒(4)，炉体(1)内部在排气口(3)顶部通过支撑轴固定连接有石墨坩埚(5)，石墨坩埚(5)的内部固定安装有石英坩埚(6)，炉体(1)内腔底部固定安装有电极(8)，电极(8)的顶部固定安装有加热器(7)，炉体(1)内壁位于导流筒(4)下方的位置固定安装有保温罩(9)，其特征在于：所述炉体(1)内壁位于炉口(2)与导流筒(4)之间固定安装有升降控制环(10)，所述导流筒(4)顶部靠近外侧处呈环状均匀固定安装有滑杆(11)，所述导流筒(4)与升降控制环(10)之间通过滑杆(11)活动连接，所述导流筒(4)的底部呈环状均匀固定连接有波纹管(12)，所述导流筒(4)的顶面呈环状均匀固定安装有气压调节装置(13)，所述波纹管(12)的底部活动套接有固定滑轴(14)；

所述导流筒(4)的顶面开设有通孔，所述气压调节装置(13)安装在该通孔内，所述导流筒(4)顶部的内部开设有限位滑槽(401)，所述限位滑槽(401)与通孔连通，所述导流筒(4)底部靠近外圈的位置开设有气流调节孔(402)，所述限位滑槽(401)远离通孔的一端连通气流调节孔(402)；

所述气压调节装置(13)由活动斜块(1301)、固定斜块(1302)和斜切面活塞块(1303)组成，所述活动斜块(1301)与固定斜块(1302)形状大小相同，所述活动斜块(1301)位于导流筒(4)内部的一端与斜切面活塞块(1303)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种直拉法制备硅单晶用单晶炉，其特征在于：所述活动斜块(1301)活动套接在限位滑槽(401)内部，所述活动斜块(1301)靠近导流筒(4)圆心的一端为向下的斜面，所述固定斜块(1302)远离导流筒(4)圆心的一端为向下的斜面。

3.根据权利要求2所述的一种直拉法制备硅单晶用单晶炉，其特征在于：所述波纹管(12)的顶部与气流调节孔(402)连通，所述固定滑轴(14)底部固定安装在保温罩(9)上，所述固定滑轴(14)贯穿波纹管(12)的底部并延伸至波纹管(12)内部的顶端处。

4.根据权利要求3所述的一种直拉法制备硅单晶用单晶炉，其特征在于：所述石英坩埚(6)的顶部外圈向外伸出并覆盖在石墨坩埚(5)的顶面。