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专利号: 2020105383960
申请人: 燕山大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种回音壁模式有机异形谐振腔的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:将有机半导体分子溶于有机良溶剂中,得到有机半导体溶液;

将不良溶剂、有机半导体溶液加入到容器内,且有机半导体溶液与不良溶剂不接触并有机半导体溶液在不良溶剂的上方;

将容器盖上盖子,使容器不完全密封,当溶剂挥发后,得到回音壁模式有机异形谐振腔。

2.根据权利要求1所述回音壁模式有机异形谐振腔的制备方法,其特征在于:所述有机半导体分子为4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯。

3.根据权利要求2所述回音壁模式有机异形谐振腔的制备方法,其特征在于:所述有机良溶剂为二氯甲烷。

4.根据权利要求3所述回音壁模式有机异形谐振腔的制备方法,其特征在于:所述有机半导体溶液的浓度为2-10mmol/L。

5.根据权利要求4所述回音壁模式有机异形谐振腔的制备方法,其特征在于:所述不良溶剂为甲苯。

6.根据权利要求5所述回音壁模式有机异形谐振腔的制备方法,其特征在于:所述有机半导体溶液与不良溶剂的体积比为0.1-0.3:3-7。

7.权利要求1、2、3、4、5或6所述方法制备的回音壁模式有机异形谐振腔。

8.权利要求7所述回音壁模式有机异形谐振腔在微纳激光器上的应用。