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专利号: 2020105432967
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-08-27
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔;

S2:采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板,钼板电极分别与直流电源连接;

S3:将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内,保证管内真空环境,向管内通入一定流量的纯氩气;

S4:将钼板放置在水平管式炉的上下两侧;

S5:调节直流电压控制电场强度,并进行热处理。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤S1中,阵列微孔的孔径D、孔高H、孔距Ds需满足:5≤L/D;Ds>D。

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤S2中,根据硅基光子晶体内部球形空腔结构的数量及排列位置,来确定电极板的摆放方式、电场作用方向。

4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤S3中,水平管式炉的环境温度为

1150℃。

5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于:步骤S5中,电场强度区间为8.90×106V/cm-1.35×107V/cm。