1.一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件，包括源极接触区(1)、栅源隔离氧化层(2)、栅氧化层(3)、栅极接触区(4)、场氧化层(6)、漏极接触区(9)、源极P+区(10)、源极(11)、漏极(12)、P-body(13)、N型漂移区(14)、埋氧层(15)、衬底(16)，其特征在于，该器件还包括低阻N型电子通道(7)和超结区；

所述低阻N型电子通道(7)左边紧邻P-body(13)右侧上部，右边靠近漏极(12)的左侧，上方从左至右依次靠近栅氧化层(4)下方的右侧部分和场氧化层(6)的下方，下方与超结区接壤；所述超结区左侧紧邻P-body(13)右侧下部，右侧紧邻N型漂移区(14)，下方紧邻埋氧层(15)。

2.根据权利要求1所述的超结SOI-LDMOS器件，其特征在于，所述超结区包括交替排列的m个N型柱(5)和m个P型柱(8)，其中一个N型柱(5)和一个P型柱(8)组成一个超结柱，其中m≥2；N型柱(5)排最左侧，紧邻P-body(13)右侧下部；P型柱(8)排最右侧，右侧紧邻N型漂移区(14)。

3.根据权利要求1所述的超结SOI-LDMOS器件，其特征在于，所述超结区包括交替排列的n个A型超结柱(18)和n-1或n+1个B型超结柱(19)，其中n≥2；A型超结柱排最左侧和最右侧；A型超结柱的前面是N型掺杂，后面是P型掺杂；B型超结柱的前面是P型掺杂，后面是N型掺杂。

4.根据权利要求2所述的超结SOI-LDMOS器件，其特征在于，所述N型柱(5)和P型柱(8)各自的宽度、厚度和掺杂浓度根据需求进行增减，同时低阻N型电子通道(7)的厚度也跟随其厚度呈相反变化，即N型柱(5)或P型柱(8)与低阻N型电子通道(7)的厚度之和等于漏极(12)和N型漂移区(14)的厚度之和。

5.根据权利要求2～4中任意一项所述的超结SOI-LDMOS器件，其特征在于，该器件中间部分：源极P+区(10)右边紧邻源极(11)的左侧，下方与P-body(13)的较低的上方接壤；源极(11)右边和下边靠近P-body(13)的凹进部分，上方从左至右依次与源极接触区(1)下方的右侧部分、栅源隔离氧化层(2)下方和栅氧化层(3)下方的一部分接壤；P-body(13)右边从上到下依次与低阻N型电子通道(7)的左侧和超结区的左侧接壤，最上方与栅氧化层(3)的下表面接壤，P-body(13)下方与埋氧层(15)的上表面接壤；N型漂移区(14)下方与埋氧层(15)上方的右侧部分接壤。

6.根据权利要求2～4中任意一项所述的超结SOI-LDMOS器件，其特征在于，该器件表面部分：器件表面从左到右依次是左上角的源极接触区(1)，它右边紧邻栅源隔离氧化层(2)的左侧，下方从左往右紧邻源极P+区(10)上方和源极(11)上方的一部分；栅源隔离氧化层(2)右边和栅氧化层(3)的左侧，以及栅极接触区(4)的左侧接壤，下方靠近源极(11)上方的一部分；栅极接触区(4)左边紧邻栅源隔离氧化层(2)右侧的一部分，右边靠近场氧化层(6)左侧的一部分，正下方紧邻栅氧化层(3)的上方；栅氧化层(3)左边紧邻栅源隔离氧化层(2)右侧的一部分，右边靠近场氧化层(6)的左侧的一部分，下方从左往右分别和源极(11)上方的一部分、P-body(13)的最上方和低阻N型电子通道(7)上方的左侧段接壤；场氧化层(6)处于器件上表面，左边从上到下紧邻栅极接触区(4)的右侧、栅氧化层(3)的右侧，右边紧邻漏极接触区(9)的左侧，正下方与低阻N型电子通道(7)上方的大部分接壤；漏极接触区(9)正下方是漏极(12)。

7.根据权利要求2～4中任意一项所述的超结SOI-LDMOS器件，其特征在于，该器件底部部分：埋氧层(15)上方从左往右依次与P-body(13)的下表面、超结区下方和N型漂移区(14)的下表面接壤，下方与衬底(16)的上方接壤。

8.根据权利要求3所述的超结SOI-LDMOS器件，其特征在于，所述A型超结(18)和B型超结(19)各自的宽度和掺杂浓度根据需求进行增减。

9.根据权利要求1或6所述的超结SOI-LDMOS器件，其特征在于，所述栅极接触区(4)的材料包括掺杂多晶硅。