1.一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，包括图案层和介质层（1），图案层由N×N个开口双圆环结构单元（2）周期性排列组成，图案层紧贴于介质层（1）表面；

所述开口双圆环结构单元（2）包括同心设置的内圆环和外圆环，内圆环和外圆环左右两侧均设置有沿水平方向的开口，开口双圆环结构单元（2）左右两侧各有一个连接桥（3），且左侧连接桥与右侧连接桥平行，当左侧连接桥连接开口上方的外圆环和开口下方的内圆环时，右侧连接桥连接开口上方的内圆环和开口下方的外圆环；当左侧连接桥连接开口上方的内圆环和开口下方的外圆环时，右侧连接桥连接开口上方的外圆环和开口下方的内圆环。

2.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，所述开口双圆环结构单元（2）呈正方形周期性排列，周期为35.0μm  40μm。

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3.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，图案层材料为金、银、铜中的一种，图案层厚度为0.1μm  0.3μm。

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4.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，外圆环外径为：14.0μm  20.0μm，内圆环外径为：8.0μm  14.0μm，外圆环和内圆环宽度~ ~

均为1.5μm  3.5μm。

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5.根据权利要求1所述的一种开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器，其特征在于，所述介质层采用聚酰亚胺或烧融石英材质，介质层厚度为10μm  200μm。

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6.一种用于制备权利要求1‑5任一项所述的开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：T1：对介质层基底进行去杂质并烘干处理；

T2：将介质层基底置于在超净间内匀胶机转盘上，介质层基底在真空的作用下被吸在转盘上，液体光刻胶置于转盘的中间；介质层基底在转盘的带动下快速旋转，先使转盘低速运转数秒使胶散开，再使转盘高速运转使液体光刻胶在离心力的作用下均匀的覆盖在介质层基底上；

T3：将预制的开口双圆环结构单元的掩模放置在介质层基底上进行曝光；

T4：将介质层基底放入显影液中显影完成对掩模上图形的转移；

T5：采用电子束蒸镀法在介质层基底上镀一层厚度为0.2μm的金膜，镀膜速率为5A/s，采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜，刻蚀速率为10A/s。

7.根据权利要求6所述的一种制作开口双圆环结构的太赫兹角度滤波器的制作方法，其特征在于，T3中，利用具有X‑Y方向对位功能的汞灯光源将预制的开口双圆环结构单元的掩模放置在介质层基底上进行曝光。