1.一种采用新原料生长碲化铜的方法，其特征在于，所述采用新原料生长碲化铜的方法包括：将衬底，碘化亚铜和碲粉，依次放置后，利用化学气相沉积法生长少层碲化铜二维材料，生长时间30min-1h，生长温度500℃-800℃。

2.如权利要求1所述的采用新原料生长碲化铜的方法，其特征在于，将3-5片1cm*1cm大小衬底，0.1-0.5g碘化亚铜和0.1-0.5g碲粉，碘化亚铜和碲粉质量比1：1，依次放置在1英寸的CVD管中。

3.如权利要求1所述的采用新原料生长碲化铜的方法，其特征在于，所述衬底为硅氧片或者云母片。

4.如权利要求1所述的采用新原料生长碲化铜的方法，其特征在于，利用化学气相沉积法生长少层碲化铜二维材料生长环境中，气氛为惰性气体，所述惰性气体包括高纯氮气或者氩气。

5.一种利用权利要求1～4所述采用新原料生长碲化铜的方法制备的碲化铜。

6.一种利用权利要求5所述碲化铜制备的太阳能电池，超导，光探测，水热转换，微波屏蔽半导体部件。