1.一种基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法，其特征在于，首先将光刻胶通过QCM芯片，光刻胶黏附于芯片表面上；然后将附有光刻胶的芯片置于的透光模块中，选用照射光源对芯片表面的光刻胶进行曝光处理，同时采集QCM的信号的变化，利用信号发生变化的时刻与曝光处理之间的时间长度来确定光刻胶的灵敏度；

所述灵敏度通过所采集的QCM的信号为共振频率△F的信号变化，以从曝光处理起始时刻t1到QCM的共振频率曲线开始发生变化再次稳定后的时刻 t3之间的时间长度△T来确定；

或者：通过所采集的QCM的信号为能量耗散△D的信号变化；以从曝光处理起始时刻t1到QCM的能量耗散曲线开始发生变化的时刻 t2之间的时间长度△T来确定；

利用信号发生变化的时刻与信号变为恒定的时刻之间的时间长度来分析光刻胶的对比度，

所述对比度通过QCM的共振频率曲线开始发生变化的t2时刻的曝光能量为D0，从t2时刻起到QCM的共振频率曲线不再发生变化的时刻t3的曝光能量为D100，通过D0、D100计算获得；或者，通过QCM的能量耗散曲线开始发生变化的t2时刻的曝光能量为D0， 从t2时刻起到QCM的能量耗散曲线不再发生变化的时刻t3的曝光能量为D100，通过D0、D100计算获得；

所述照射光源为紫外光（UV）、深紫外光（DUV）或极深紫外光（EUV）。

2. 根据权利要求1所述的基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法，其特征在于，光刻胶的灵敏度S= D100=光强*△T。

3.根据权利要求1所述的基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法，其特征在于，光刻胶的对比度的计算公式为： 。