1.基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，包括直流电源(5)，直流电源(5)上串接限流电阻(4)、电流表(3)和供电控制模块(2)并构成回路，供电控制模块(2)上电连接有焦平面成像阵列(1)，供电控制模块(2)的两端并联有滤波器(7)和锁相放大器(8)且均构成回路，滤波器(7)和锁相放大器(8)与供电控制模块(2)的共同回路上串接有电容器(6)，供电控制模块(2)与锁相放大器(8)还共同连接有计算机(9)。

2.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述焦平面成像阵列(1)包括依次上下封装的上面板(10)、中面板(11)和下面板(12)，中面板(11)上刻蚀有m×n个供太赫兹波入射的通孔，m×n个通孔内均充入惰性气体形成气室(14)阵列，上面板(10)的下表面均匀间隔设置有m列x电极(13)，m列x电极(13)一一对应气室(14)阵列的m列气室(14)，下面板(12)的上表面均匀间隔设置有n行y电极(15)，n行y电极(15)一一对应气室(14)阵列的n行气室(14)，n行y电极(15)和m列x电极(13)均电连接至供电控制模块(2)。

3.如权利要求2所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述气室(14)均为正方形或圆形，气室(14)的宽度均为10μm-1mm，气室(14)的深度即中面板(11)的厚度为10μm-1mm。

4.如权利要求3所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述上面板(10)选用石英玻璃材质，x电极(13)的宽度为气室(14)宽度的1/10-1/3。

5.如权利要求3所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述y电极(15)的宽度不小于气室(14)的宽度。

6.如权利要求2所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述气室(14)内惰性气体的压强均为103-105Pa，惰性气体为He、Ne、Ar、Ke、Xe中的一种或两种以上组成的潘宁混合气体。

7.如权利要求2所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述x电极(13)和y电极(15)均采用ITO薄膜或金属膜制作。

8.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述电容器(6)的大小为 其中，f是入射太赫兹波的调制频率，R是与信号通路并联的等效电阻。

9.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述滤波器(7)为带通滤波器，滤波器(7)的谐振频率设置为入射太赫兹波的调制频率。

10.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述锁相放大器(8)的积分时间为0.1ms-1s。