1.基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，包括直流电源（5），直流电源（5）上串接限流电阻（4）、电流表（3）和供电控制模块（2）并构成回路，供电控制模块（2）上电连接有焦平面成像阵列（1），采用逐点顺次启动探测的方式使焦平面成像阵列（1）工作，每次只有一个像元工作；供电控制模块（2）的两端并联有滤波器（7）和锁相放大器（8）且均构成回路，滤波器（7）和锁相放大器（8）与供电控制模块（2）的共同回路上串接有电容器（6），供电控制模块（2）与锁相放大器（8）还共同连接有计算机（9）；

所述焦平面成像阵列（1）包括依次上下封装的上面板（10）、中面板（11）和下面板（12），中面板（11）上刻蚀有m×n个供太赫兹波入射的通孔，m×n个通孔内均充入惰性气体形成气室（14）阵列，气室（14）的宽度均为10μm‑1mm，气室（14）的深度即中面板（11）的厚度为10μm‑

1mm，上面板（10）的下表面均匀间隔设置有m列x平行电极（13），m列x平行电极（13）一一对应气室（14）阵列的m列气室（14），下面板（12）的上表面均匀间隔设置有n行y平行电极（15），n行y平行电极（15）一一对应气室（14）阵列的n行气室（14），n行y平行电极（15）和m列x平行电极（13）均电连接至供电控制模块（2）。

2.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述气室（14）均为正方形或圆形。

3.如权利要求2所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述上面板（10）选用石英玻璃材质，x平行电极（13）的宽度为气室（14）宽度的1/10‑1/3。

4.如权利要求2所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述y平行电极（15）的宽度不小于气室（14）的宽度。

5.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，

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所述气室（14）内惰性气体的压强均为10‑10Pa，惰性气体为He、Ne、Ar、Ke、Xe中的一种气体或两种以上组成的潘宁混合气体。

6.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述x平行电极（13）和y平行电极（15）均采用ITO薄膜或金属膜制作。

7.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述电容器（6）的大小为 ，其中，f是入射太赫兹波的调制频率，R是与信号通路并联的等效电阻。

8.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述滤波器（7）为带通滤波器，滤波器（7）的谐振频率设置为入射太赫兹波的调制频率。

9.如权利要求1所述的基于微等离子体阵列的太赫兹波焦平面成像系统，其特征在于，所述锁相放大器（8）的积分时间为0.1 ms‑1s。