1.一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，将具有纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层插入氧化锆薄膜与电极之间。

2.根据权利要求1所述的格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层的制备方法如下：纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层的制备方法如下：

步骤1.1，在室温下，将四水合三氯化铟、氯化锡与乙醇混合搅拌8小时后，再将化学修饰剂苯甲酰丙酮加入进行混合并进行加热，加热温度40℃)，金属有机化合物与苯甲酰丙酮发生螯合反应生成相应的螯合物，并将螯合物于室温下干燥5min-10min；其中铟离子：锡离子的摩尔比为：1:(0.001-0.005)，四水合三氯化铟：苯甲酰丙酮的摩尔比为1：(0.1-0.2)，四水合三氯化铟：乙醇的体积比为1:20；

步骤1.2，以波长为325nm的He-Cd激光器为曝光光源，激光器发出的激光经反射、分束、扩束、平行后使得两束相干光在步骤1.1得到的螯合物表面以9.4°入射并发生干涉；干涉光辐照到螯合物表面13min-15min，激光照射结束后，将干涉曝光后的螯合物浸入乙醇溶剂中

1min-2min，形成周期约为800nm的凝胶薄膜格点；

步骤1.3，经过步骤1.2得到的产物在空气气氛下，于温度450-500℃热处理10min-

15min，冷却至室温后获得纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层。

3.根据权利要求1所述的格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，其征在于，氧化锆薄膜制备方法如下：以四丁醇锆为起始原料、苯甲酰丙酮为化学修饰剂、无水乙醇为溶剂配制氧化锆溶胶，四丁醇锆：苯甲酰丙酮的摩尔比为1：(0.1-0.2)，四丁醇锆：无水乙醇的体积比为1:20，采用浸渍-提拉法使用氧化锆溶胶在镀有底电极的单晶硅基板上制备氧化锆凝胶薄膜。

4.根据权利要求1所述的格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，在氧化锆薄膜与电极之间插入纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层具体如下：将纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层嵌入顶电极或底电极上，在纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层上采用浸渍-提拉法使用氧化铟掺锡溶胶制备氧化铟掺锡凝胶薄膜。

5.根据权利要求4所述的格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，所述顶电极和底电极均为Pt电极。