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专利号: 2020108817868
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 计算;推算;计数
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种考虑相异磁边值的卷铁心层间短路涡流损耗评估方法,其特征在于,铁心材质为高导磁冷轧晶粒取向硅钢片,包括以下步骤:

1)得到卷铁心层间短路区域内的涡流场复数形式微分方程:式中,j为虚数单位,Hz(x)代表短路区域内部各点的磁场强度,中间参数其中:μ为卷铁心材质的磁导率,σ为卷铁心材质的电导率,ω为角频率,它满足:ω=2πf,f为励磁频率;

根据二阶线性齐次常微分方程的基础算法,得到(1)的通解:式中,C1和C2为待定常数,通过涡流场的边界条件确定;

2)设卷铁心在第s级发生层间短路,短路片数为k,则求解短路区域内部各点的磁场强度所需的边界条件为:

Hz(0)=Hs,Hz(D)=Hs+k   (3)式中,s,k∈{1,2,3,…,m,m+1,m+2,…,2m},2m为卷铁心的总层级数,Hs、Hs+k分别代表卷铁心第s、s+k级的边界磁场强度,D为短路区域总厚度,它满足:D=kd,d为硅钢片厚度;

将(3)带入(2)即可得到待定常数C1和C2的计算式:

3)根据安培环路定律的微分形式,以及(2)、(4)对磁场强度的计算结果,得到卷铁心层间短路区域内涡流密度函数Jy(x)的表达式:

4)根据电磁学对有功功耗的定义,得到卷铁心层间短路区域的涡流损耗: