1.一种石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料的制备方法，其特征在于，该方法包含：在0.7～1.1v的偏压下实施电极沉积，以镀有金膜的石墨基底作为阴极，将阳极和阴极在电镀液中，于室温下进行金纳米线沉积，沉积时间为1～2h，以获得金纳米线/石墨基底；

其中，所述电镀液包含以下浓度的组分：5～11mmol/LHAuCl4、10～20mmol/L CTAC和20～

38mmol/LNaNO3；

以含0.1～0.2mol/L苯胺和1～2mol/L H2SO4的溶液作为电解质，利用三电极系统，采用循环伏安法在金纳米线表面聚合生成聚苯胺，三电极系统三个电极包括：以所述金纳米线/石墨基底为工作电极，以及对电极和参比电极，工作电极的工作电压范围为-0.4～1.0v，聚合扫描圈数为3～10，聚合扫描速率为25～200mV/s，以获得石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料。

2.根据权利要求1所述的石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料的制备方法，其特征在于，所述石墨基底的金膜镀层的厚度为5nm。

3.根据权利要求1所述的石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料的制备方法，其特征在于，所述三电极系统中，对电极包括：Pt电极，参比电极包括：Ag/AgCl电极。

4.根据权利要求1所述的石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料的制备方法，其特征在于，所述金纳米线/石墨基底制备中，所述阳极包括：碳基底。

5.根据权利要求1所述的石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料的制备方法，其特征在于，所述电镀液的制备，将HAuCl4、CTAC和NaNO3依次溶解在去离子水中，超声处理，获得电镀液。

6.根据权利要求1所述的石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料的制备方法，其特征在于，所述金纳米线/石墨基底制备中，待金纳米线沉积结束后，室温下在氮气气流中进行干燥。

7.根据权利要求1所述的石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料的制备方法，其特征在于，所述循环伏安法在金纳米线表面聚合生成聚苯胺过程中，待反应完成后除去溶液残留，在室温下在氮气气流中干燥电极。

8.一种石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料，其特征在于，该赝电容电极材料以镀有金膜的石墨作为基底，在石墨基底表面沉积有金纳米线，在该金纳米线表面聚合有聚苯胺。

9.根据权利要求8所述的石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料，其特征在于，所述赝电容电极材料通过如权利要求1-7中任意一项所述的制备方法获得。

10.如权利要求8或9所述的石墨/金/聚苯胺赝电容电极材料在赝电容器中的应用。