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专利号: 2020108942054
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 发电、变电或配电
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种用于AC‑DC电源控制器的多级电流高压启动电路,其特征在于,包括启动子电路(1)、输入转换子电路(2)和输出控制子电路(3);所述启动子电路(1)分别与输入转换子电路(2)和输出控制子电路(3)通信连接;所述输入转换子电路(2)和输出控制子电路(3)通信连接;

所述启动子电路(1)用于初始化AC‑DC电源控制器启动电路;所述输入转换子电路(2)用于接受来自外部的电能;所述输出控制子电路(3)用于持续输出稳定电流;

所述启动子电路(1)包括控制输入端VDD_PRE、NMOS管N01‑N04、电阻R01‑R03和稳压二极管ZD1;

所述NMOS管N01的栅极和控制输入端VDD_PRE连接,其源极和衬底均接地;所述NMOS管N01的漏极分别与稳压二极管ZD1的一端、电阻R02的一端和电阻R03的一端连接,其连接处作为稳定线A101;所述稳压二极管ZD1的另一端接地;所述电阻R03的另一端分别与NMOS管N03的漏极和NMOS管N04的栅极连接;所述NMOS管N03的栅极分别与电阻R01的一端、NMOS管N02的栅极和NMOS管N02的漏极连接;所述NMOS管N02的源极和衬底均接地;所述NMOS管N03的源极和衬底均接地;所述NMOS管N04的源极和衬底均接地;

所述输入转换子电路(2)包括电源输入端DRAN、控制输入端CHG_CTR、控制输入端VDD_DET1、NMOS管N05‑N06、NMOS管N12和电阻R04‑R05;

所述NMOS管N12的漏极和电源输入端DRAN连接,其栅极和衬底均接地;所述NMOS管N12的源极分别与电阻R02的另一端、电阻R04的一端和电阻R05的一端连接,其连接处作为稳定线A201;所述NMOS管N05的漏极分别与电阻R04的另一端、电阻R05的另一端和NMOS管N04的漏极连接,其连接处作为稳定线A203;所述NMOS管N05的栅极和控制输入端CHG_CTR连接;所述NMOS管N05的源极和NMOS管N06的漏极连接,其衬底接地;所述NMOS管N06的栅极和控制输入端VDD_DET1连接;所述NMOS管N06的源极和衬底均接地;

所述输出控制子电路(3)包括控制输出端VDD、控制输入端CHG_CTR2、电阻R06‑R10、NMOS管N07‑N11、PMOS管P01和稳压二极管ZD2;

所述NMOS管N07的栅极和稳压二极管ZD2一端均与稳定线A203连接;所述NMOS管N07的漏极和电阻R07的一端均与稳定线A201连接;所述NMOS管N07的衬底接地;所述NMOS管N07的源极分别与电阻R06的一端、PMOS管P01的源极和PMOS管P01的衬底连接;所述NMOS管N08的漏极分别与NMOS管N09的漏极、电阻R06的另一端和PMOS管P01的栅极连接;所述NMOS管N08的衬底和源极均接地;所述NMOS管N08的栅极和控制输入端CHG_CTR2连接;所述NMOS管N09的衬底和源极均接地;所述稳压二极管ZD2的另一端、电阻R09的一端、电阻R10的一端、电阻R01的另一端和PMOS管P01的漏极均与控制输出端VDD连接;所述电阻R09的另一端和NMOS管N10的源极连接;所述NMOS管N10的衬底接地;所述NMOS管N10的栅极和NMOS管N09的栅极均与稳定线A101连接;所述NMOS管N10的漏极和电阻R08的一端连接;所述电阻R08的另一端分别与电阻R07的另一端和NMOS管N11的漏极连接;所述NMOS管N11的栅极和稳定线A203连接,其衬底接地;所述NMOS管N11的源极和电阻R10的另一端连接。

2.根据权利要求1所述的用于AC‑DC电源控制器的多级电流高压启动电路,其特征在于,所述控制输入端VDD_PRE用于控制启动子电路(1)。

3.根据权利要求1所述的用于AC‑DC电源控制器的多级电流高压启动电路,其特征在于,所述电源输入端DRAN用于输入外部电源;

所述控制输入端CHG_CTR用于控制支路是否输出电流;

所述控制输入端VDD_DET1用于控制输入转换子电路(2)中的电流大小。

4.根据权利要求1所述的用于AC‑DC电源控制器的多级电流高压启动电路,其特征在于,所述控制输入端CHG_CTR2用于检测输出电压并决定是否开启Icharge3支路;所述控制输出端VDD用于向AC‑DC电源控制器输出电能。