1.应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于由馈源结构(A)、主反射器(B)、围边结构(C)、副反射器(D)构成；

所述的馈源结构(A)包括双极化电磁偶极子天线，第一SIW腔(F1)，多层空气腔；

所述的第一SIW腔(F1)由贯穿第二介质基板(S2)的若干金属柱周期性排布围成封闭结构构成，这些金属柱的下端与第二金属层(M2)接触，上端与第三金属层(M3)接触；

所述的第二介质基板(S2)的上下表面分别设有第三金属层(M3)、第二金属层(M2)；第三金属层(M3)上开有一个缝隙，即第三耦合缝隙(N3)；

所述的多层空气腔设置在第一SIW腔(F1)内，且不与双极化电磁偶极子天线接触；每层空气腔由贯穿第二介质基板(S2)的若干通孔周期性排布围成封闭结构构成，这些通孔的下端与第二金属层(M2)接触，上端与第三金属层(M3)不接触；

所述的主反射器(B)为位于第二介质基板(S2)与第三介质基板(S3)之间的第三金属层(M3)；

所述的围边结构(C)包括第二SIW腔(F2)、第三SIW腔(F3)和第四SIW腔(F4)；第二SIW腔(F2)由贯穿第三介质基板(S3)的若干金属柱周期性排布围成封闭结构构成，金属柱的下端与第三金属层(M3)接触，上端与第四金属层(M4)接触；第三SIW腔(F3)由贯穿第四介质基板(S4)的若干金属柱周期性排布围成封闭结构构成，金属柱的下端与第四金属层(M4)接触，上端与第五金属层(M5)接触；第四SIW腔(F4)由贯穿第五介质基板(S5)的若干金属柱周期性排布围成封闭结构构成，金属柱的下端与第五金属层(M5)接触，上端与第六金属层(M6)接触；同时第三介质基板(S3)的第二SIW腔(F2)内挖有通孔，且在第四金属层(M4)开有与该通孔一样尺寸的第四耦合缝隙(N4)；第四介质基板(S4)的第三SIW腔(F3)内挖有通孔，且在第五金属层(M5)开有与该通孔一样尺寸的第五耦合缝隙(N5)；第五介质基板(S5)的第四SIW腔(F4)内挖有通孔，且在第六金属层(M6)开有与该通孔一样尺寸的第六耦合缝隙(N6)；

所述的副反射器(D)为第六金属层(M6)，位于第六介质基板(S6)下表面；其相对位置不与第一SIW腔(F1)、第二SIW腔(F2)、第三SIW腔(F3)、第四SIW腔(F4)、多层空气腔重合。

2.根据权利要求1所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于馈源结构(A)，主反射器(B)，围边结构(C)，副反射器(D)的中心在同一直线上。

3.根据权利要求2所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于第二SIW腔(F2)、第三SIW腔(F3)、第四SIW腔(F4)、第四耦合缝隙(N4)、第五耦合缝隙(N5)、第六耦合缝隙(N6)中心与辐射结构中心在同一直线上。

4.根据权利要求1或2所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于第一SIW腔(F1)的最大直径小于第二SIW腔(F2)、第三SIW腔(F3)、第四SIW腔(F4)。

5.根据权利要求1或2所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于将一对幅值相等，相位差相差180°的差分信号输入到馈源结构(A)中的SIW结构(T1)，差分信号通过位于第二金属层(M2)的第一耦合缝隙(N1)、第二耦合缝隙(N2)激励馈源结构(A)的电磁偶极子进行电磁波辐射产生馈源信号；馈源结构(A)产生的馈源信号在主反射面和副反射面之间反射后满足驻波场条件，并通过副反射器(D)与第六耦合缝隙(N6)之间无金属覆盖部分的空隙进行能量向外的传输；主反射面由第二金属层(M2)、主反射器(B)和围边结构(C)决定，副反射面由副反射器(D)决定。

6.根据权利要求1或2所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于所述的双极化电磁偶极子天线包括馈电结构和辐射结构；

所述的馈电结构包括第一介质基板(S1)、分别设置在第一介质基板(S1)上下表面的第一金属层(M1)、第二金属层(M2)、以及设置在第一介质基板(S1)内的SIW结构(T1)；所述的第二金属层(M2)设置在第一介质基板(S1)的上表面，第二金属层(M2)上开有第一耦合缝隙(N1)、第二耦合缝隙(N2)，第一耦合缝隙(N1)与第二耦合缝隙(N2)交叉成十字型；所述的第一介质基板(S1)设有中心对称的SIW结构(T1)；SIW结构(T1)中心腔体四个角附近均设有一个第一金属柱(V1)，且这些第一金属柱(V1)位于腔体内部呈中心对称；

所述的SIW结构(T1)由多个金属柱构成，SIW结构(T1)、第一金属柱(V1)的下端均与第一金属层(M1)接触，上端均与第二金属层(M2)接触；

所述的辐射结构包括第二介质基板(S2)、设置在第二介质基板(S2)上表面的多个辐射贴片(P1)；辐射贴片(P1)间通过十字型连接结构(P2)连接；辐射贴片(P1)位于第三耦合缝隙(N3)内，且不与第三金属层(M3)接触；

所述的第二介质基板(S2)设有若干通孔用于放置第二金属柱(V2)；第二金属柱(V2)的一端与辐射贴片(P1)接触，另一端与第二金属层(M2)接触；若干第二金属柱(V2)均匀分布在辐射贴片(P1)正下方，且同一个辐射贴片(P1)相连的第二金属柱(V2)成一定角度排列，不同辐射贴片相连的第二金属柱(V2)呈中心对称。

7.根据权利要求6所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于所述的第一介质基板(S1)的相对介电常数εr为1～10.2，厚度h1为0.15λg～0.25λg，第一耦合缝隙(N1)、第二耦合缝隙(N2)的长Ls为0.5λg～0.9λg，宽Ws为0.03λg～0.1λg；SIW结构(T1)输入端宽度Wa为0.5λg～λg，中心腔体部分宽度Wb为λg～1.5λg，第一金属柱(V1)与SIW结构(T1)金属柱直径Da为0.03λg～0.08λg，金属柱间距Ga为0.1λg～0.15λg，金属柱偏离结构中心轴的距离Off为0.5λg～0.6λg，λg为第一介质基板(S1)的工作波长；

第二介质基板(S2)的相对介电常数εr为1～10.2，高度h2为0.25λg～0.35λg；矩形辐射贴片(P1)的长和宽La为0.25λg～0.45λg，两片矩形辐射贴片(P1)之间的间隔Wc为0.03λg～0.08λg；十字型连接结构(P2)的宽Wd为0.03λg～0.08λg；第二金属柱(V2)的直径Db为0.03λg～

0.08λg，同一辐射贴片上金属柱间距Gb为0.1λg～0.15λg，两相邻辐射贴片上金属柱之间的间距Lb为0.15λg～0.3λg；第一SIW腔(F1)的直径Df为3.9λg～4λg；第一空气腔(G1)的直径Dd为3.6λg～3.7λg，第二空气腔(G2)的直径Dc为3.2λg～3.3λg；第三耦合缝隙(N3)的直径De为

3.7λg～3.9λg；第一SIW腔的金属柱孔径、第一空气腔(G1)通孔孔径、第二空气腔(G2)通孔孔径皆是Dg为0.03λg～0.08λg，λg为第二介质基板(S2)的工作波长。

8.根据权利要求7所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于所述的第三介质基板(S3)的相对介电常数εr为1～10.2，高度h3为0.25λg～0.35λg；第二SIW腔(F2)的直径Di为4.8λg～4.9λg，第二SIW腔(F2)的金属柱孔径Dj为0.03λg～0.08λg；第四耦合缝隙(N4)的直径Dh为4.6λg～4.8λg，λg为第三介质基板(S3)的工作波长；

所述的第四介质基板(S4)的相对介电常数εr为1～10.2，高度h4为0.25λg～0.35λg；第三SIW腔(F3)的直径Dm为4.8λg～4.9λg，第三SIW腔(F3)的金属柱孔径Dn为0.03λg～0.08λg；第四耦合缝隙(N4)的直径Dk为4.6λg～4.8λg，λg为第四介质基板(S4)的工作波长；

所述的第五介质基板(S5)的相对介电常数εr为1～10.2，高度h5为0.05λg～0.15λg；第四SIW腔(F4)的直径Dq为4.8λg～4.9λg，第四SIW腔(F4)的金属柱孔径Dr为0.03λg～0.08λg；第六耦合缝隙(N6)的直径Dp为4.6λg～4.8λg，λg为第五介质基板(S5)的工作波长。

9.根据权利要求8所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于所述的第六介质基板(S6)的相对介电常数εr为1～10.2，高度h6为0～0.1λg；副反射器(D)的直径Ds为0.4λg～0.6λg，λg为第六介质基板(S6)的工作波长。