1.应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于由馈源结构A、主反射器B、围边结构C、副反射器D构成；

所述的馈源结构A包括双极化电磁偶极子天线E，第一SIW腔F1，多层空气腔；

所述的第一SIW腔F1由贯穿第二介质基板S2的若干金属柱周期性排布围成封闭结构构成，这些金属柱的下端与第二金属层M2接触，上端与第三金属层M3接触；

所述的第二介质基板S2的上下表面分别设有第二金属层M3、第二金属层M2；第三金属层M3上开有一个一定形状的缝隙，即第三耦合缝隙N3；

所述的多层空气腔设置在第一SIW腔F1内，且不与双极化电磁偶极子天线E接触；每层空气腔由贯穿第二介质基板S2的若干通孔周期性排布围成封闭结构构成，这些金属柱的下端与第二金属层M2接触，上端与第三金属层M3不接触；

所述的主反射器B为位于第二介质基板S2与第三介质板S3之间的第三金属层M3；

所述的围边结构C包括第二SIW腔F2、第三SIW腔F3和第四SIW腔F4；第二SIW腔F2由贯穿第三介质基板S3的若干金属柱周期性排布围成封闭结构构成，金属柱的下端与第三金属层M3接触，上端与第四金属层M4接触；第三SIW腔F3由贯穿第四介质基板S4的若干金属柱周期性排布围成封闭结构构成，金属柱的下端与第四金属层M4接触，上端与第五金属层M5接触；

第四SIW腔F4由贯穿第五介质基板S5的若干金属柱周期性排布围成封闭结构构成，金属柱的下端与第五金属层M5接触，上端与第六金属层M6接触；同时第三介质基板S3的第二SIW腔F2内挖有一定形状的通孔，且在第四金属层M4开有与该通孔一样尺寸的第四耦合缝隙N4；

第四介质基板S4的第三SIW腔F3内挖有一定形状的通孔，且在第五金属层M5开有与该通孔一样尺寸的第五耦合缝隙N5；第五介质基板S5的第四SIW腔F4内挖有一定形状的通孔，且在第六金属层M6开有与该通孔一样尺寸的第六耦合缝隙N6；

所述的副反射器D为第六金属层M6，位于第六介质基板S6下表面，成一定的形状；其相对位置不与第一SIW腔F1、第二SIW腔F2、第三SIW腔F3、第四SIW腔F4、多层空气腔重合。

2.根据权利要求1所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于馈源结构A，主反射器B，围边结构C，副反射器D的中心在同一直线上。

3.根据权利要求2所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于第二SIW腔F2、第三SIW腔F3、第四SIW腔F4、第四耦合缝隙N4、第五耦合缝隙N5、第六耦合缝隙N6中心与辐射结构E2中心在同一直线上。

4.根据权利要求1或2所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于第一SIW腔F1的最大直径小于第二SIW腔F2、第三SIW腔F3、第四SIW腔F4。

5.根据权利要求1或2所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于将一对幅值相等，相位差相差180°的差分信号输入到本发明的馈源结构A中的SIW结构T1，差分信号通过位于第二金属层M2的第一耦合缝隙N1、第二耦合缝隙N2激励馈源结构A的电磁偶极子进行电磁波辐射产生馈源信号；馈源结构A产生的馈源信号在主反射面和副反射面之间反射后满足驻波场条件，并通过副反射器D与第六耦合缝隙N6之间无金属覆盖部分的空隙进行能量向外的传输；主反射面由第二金属层M2、主反射器B和围边结构C决定，副反射面由副反射器D决定。

6.根据权利要求1或2所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于所述的双极化电磁偶极子天线E包括馈电结构E1和辐射结构E2；

所述的馈电结构E1包括第一介质基板S1、分别设置在第一介质基板S1上下表面的第一金属层M1、第二金属层M2、以及设置在第一介质基板S1内的SIW结构T1；所述的第二金属层M2设置在第一介质基板S1的上表面，第二金属层M2上开有第一耦合缝隙N1、第二耦合缝隙N2，第一耦合缝隙N1与第二耦合缝隙N2交叉成十字型；所述的第一介质基板S1设有中心对称的SIW结构T1；SIW结构T1中心腔体四个角附近均设有一个第一金属柱V1，且这些第一金属柱V1位于腔体内部呈中心对称；

所述的SIW结构T1由多个金属柱构成，SIW结构T1、第一金属柱V1的下端均与第一金属层M1接触，上端均与第二金属层M2接触；

所述的辐射结构E2包括第二介质基板S2、设置在第二介质基板S2上表面的多个辐射贴片P1；辐射贴片P1间通过十字型连接结构P2连接；辐射贴片P1位于第三耦合缝隙N3内，且不与第二金属层M3接触；

所述的第二介质基板S2设有若干通孔用于放置第二金属柱V2；第二金属柱V2的一端与辐射贴片P1接触，另一端与第二金属层M2接触；若干第二金属柱V2均匀分布在辐射贴片P1正下方，且同一个辐射贴片P1相连的第二金属柱V2成一定角度排列，不同辐射贴片相连的第二金属柱V2呈中心对称。

7.根据权利要求6所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于所述的第一介质基板S1的相对介电常数εr为1～10.2，厚度h1为0.15λg～0.25λg，第一耦合缝隙N1、第二耦合缝隙N2的长Ls为0.5λg～0.9λg，宽Ws为0.03λg～0.1λg；SIW结构T1输入端宽度Wa为

0.5λg～λg，中心腔体部分宽度Wb为λg～1.5λg，第一金属柱V1与SIW结构T1金属柱直径Da为

0.03λg～0.08λg，金属柱间距Ga为0.1λg～0.15λg，金属柱偏离结构中心轴的距离Off为0.5λg～0.6λg，λg为第一介质基板S1的工作波长；

第二介质基板S2的相对介电常数εr为1～10.2，高度h2为0.25λg～0.35λg；矩形辐射贴片P1的长和宽La为0.25λg～0.45λg，两片矩形辐射P1贴片之间的间隔Wc为0.03λg～0.08λg；十字型辐射贴片P2的宽Wd为0.03λg～0.08λg；第二金属柱V2的直径Db为0.03λg～0.08λg，同一辐射贴片上金属柱间距Gb为0.1λg～0.15λg，两相邻辐射贴片上金属柱之间的间距Lb为0.15λg～0.3λg；第一SIW腔F1的直径Df为3.9λg～4λg；第一空气腔G1的直径Dd为3.6λg～3.7λg，第二空气腔G2的直径Dc为3.2λg～3.3λg；第三耦合缝隙N3的直径De为3.7λg～3.9λg；第一SIW腔的金属柱孔径、第一空气腔G1通孔孔径、第二空气腔G2通孔孔径皆是Dg为0.03λg～0.08λg，λg为第二介质基板S2的工作波长。

8.根据权利要求6或7所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于所述的第三介质基板S3的相对介电常数εr为1～10.2，高度h3为0.25λg～0.35λg；第二SIW腔F2的直径Di为4.8λg～4.9λg，第二SIW腔F2的金属柱孔径Dj为0.03λg～0.08λg；第四耦合缝隙N4的直径Dh为4.6λg～4.8λg，λg为第三介质基板S3的工作波长；

所述的第四介质基板S4的相对介电常数εr为1～10.2，高度h4为0.25λg～0.35λg；第三SIW腔F3的直径Dm为4.8λg～4.9λg，第三SIW腔F3的金属柱孔径Dn为0.03λg～0.08λg；第四耦合缝隙N4的直径Dk为4.6λg～4.8λg，λg为第四介质基板S4的工作波长；

所述的第五介质基板S5的相对介电常数εr为1～10.2，高度h5为0.05λg～0.15λg；第四SIW腔F4的直径Dq为4.8λg～4.9λg，第四SIW腔F4的金属柱孔径Dr为0.03λg～0.08λg；第六耦合缝隙N6的直径Dp为4.6λg～4.8λg，λg为第五介质基板S5的工作波长。

9.根据权利要求6或7或8所述的应用在毫米波频段的双极化短背射天线，其特征在于所述的第六介质基板S6的相对介电常数εr为1～10.2，高度h6为0～0.1λg；副反射器D的直径Ds为0.4λg～0.6λg，λg为第六介质基板S6的工作波长。