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专利号: 2020108954511
申请人: 电子科技大学中山学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-08-28
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)提供银纳米线悬浊液,并保持所述银纳米线悬浊液在水平方向的单向流动状态;

(2)将PET膜以垂直于所述步骤(1)中银纳米线悬浊液的液面方向同时平行于水流方向浸泡到银纳米线悬浊液中,取出,得到第一复合膜;

(3)将所述步骤(2)得到的第一复合膜水平旋转90°,保持与步骤(2)相同的方向浸泡到银纳米线悬浊液中,取出,得到银纳米线透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的银纳米线悬浊液由银纳米线分散液与低级醇混合得到。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述银纳米线分散液中银纳米线的浓度为0.5~1mg/mL。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述低级醇为乙二醇或丙三醇。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)和所述步骤(3)中浸泡的时间独立地为4~8h。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)和所述步骤(3)中浸泡的时间独立地为5~7h。

7.权利要求1~6任意一项所述制备方法制备得到的银纳米线透明导电薄膜。

8.一种柔性OLED器件,依次包括阳极材料、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极材料;所述阳极材料为权利要求8所述的银纳米线透明导电薄膜。

9.根据权利要求8所述的柔性OLED器件,其特征在于,所述空穴注入层为二硫化钼。

10.根据权利要求8或9所述的柔性OLED器件,其特征在于,所述空穴注入层采用磁控溅射的方法得到。