1.一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关，其特征在于：包括由下向上依次层叠的截面为正方形的二氧化钒层(1)和二氧化硅层(2)；所述二氧化硅层(2)的表面设有金属贴片层(3)，所述的金属贴片层(3)包括设置在二氧化硅层表面的方形环贴片(4)，方形环贴片(4)围合的二氧化硅层(2)表面区域内设有十字形贴片(5)；所述二氧化硅层(2)的厚度为10μm，宽度10μm，介电常数为3.9；所述二氧化钒层(1)的厚度为0.2μm，宽度10μm；所述方形环贴片(4)的厚度为0.2μm，方形环的外边长为4.25μm，内边长为3.25μm，宽度为0.5μm；所述十字形贴片(5)的厚度为0.2μm，长度为2.4μm，宽度为1μm。

2.根据权利要求1所述的基于金属及二氧化钒的太赫兹开关，其特征在于：所述方形环贴片(4)和十字形贴片(5)之间的二氧化硅层(2)的表面设有呈阵列分布的石墨烯层(6)，所述石墨烯层(6)的四条边沿中部分别设有波浪形的拓扑边界(7)。

3.根据权利要求2所述的基于金属及二氧化钒的太赫兹开关，其特征在于：所述石墨烯层(6)的四角处分别设有透射孔点阵(8)，每个角处的透射孔点阵(8)呈正三角矩阵状；四个所述的透射孔点阵(8)之间构成阵列栅。