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专利号: 2020109140991
申请人: 浙江科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-08-07
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种双裂环结构石墨烯的吸收器,其特征在于:包括由下向上依次层叠的截面为正方形的硅层(1)、金层(2)和二氧化硅层(3);所述二氧化硅层(3)的表面设有材质为石墨烯的方形裂环(4),方形裂环(4)的中部设有两个对称的第一裂口(5);所述二氧化硅层(3)的表面中部设有材质为石墨烯的圆形裂环(6),圆形裂环(6)上设有两个对称的第二裂口(7);

所述第一裂口(5)与第二裂口(7)相互垂直;所述二氧化硅层(3)的厚度为4200nm,长度为

2450nm;所述金层(2)的厚度为450nm,长度为2450nm;所述硅层(3)的厚度为2000nm,长度为

2450nm;所述方形裂环(4)的外边长为1800nm,内边长为1600nm,厚度为1nm,所述第一裂口的宽度为100nm;所述圆形裂环(6)的外半径为600nm,内半径为600nm,厚度为1nm;所述第二裂口(7)的宽度为100nm;所述金层(2)的边沿中部分别设有波浪形的拓扑边界(8)。

2.根据权利要求1所述的基于超构材料的太赫兹电磁吸收器,其特征在于:所述金层(2)的四角处分别设有透射孔点阵(9),每个角处的透射孔点阵(9)呈正三角矩阵状;四个所述的透射孔点阵(9)之间构成阵列栅。