1.一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述极大负色散光波导包括：衬底(1)，所述衬底(1)由二氧化硅组成；在所述衬底(1)的顶部设置有条‑槽‑条型波导结构；

所述条‑槽‑条型波导结构包括：下条型波导(2)、槽型波导(3)和上条型波导(4)；所述上条型波导(4)、所述槽型波导(3)和所述下条型波导(2)在所述衬底(1)的顶部垂直方向上自上而下分布；其中，所述下条型波导(2)由氮化硅组成，所述槽型波导(3)由硅、二氧化硅构成；所述上条型波导(4)是由材料硅构成。

2.如权利要求1所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述条‑槽‑条型波导结构还包括：二氧化硅媒介(5)；在所述下条型波导(2)、所述槽型波导(3)和所述上条型波导(4)两两之间通过所述二氧化硅媒介(5)隔开。

3.如权利要求1所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述下条型波导(2)由氮化硅组成，其在λ＝2μm处折射率n＝1.983。

4.如权利要求2所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述槽型波导(3)由两个夹板层(6)和槽芯(7)组成，所述槽芯(7)处于两个所述夹板层(6)之间；

所述槽型波导(3)的夹板层(6)由硅制成，其在λ＝2μm处折射率n＝3.48；所述槽型波导(3)的槽芯(7)由二氧化硅制成，其在λ＝2μm处折射率n＝1.44。

5.如权利要求1所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述上条型波导(4)由材料硅制成，其在λ＝2μm处折射率n＝3.45。

6.如权利要求4所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述条‑槽‑条型波导结构在水平方向上的宽度为500nm，在垂直方向上的高度为4415nm。

7.如权利要求6所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述下条型波导(2)在垂直方向上的高度为1050nm；所述上条型波导(4)在垂直方向上的高度为305nm；所述槽型波导(3)在垂直方向上的高度为380nm。

8.如权利要求7所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述上条型波导(4)与所述槽型波导(3)之间的所述二氧化硅媒介(5)在垂直方向上的高度为

1400nm；所述下条型波导(2)与所述槽型波导(3)之间的所述二氧化硅媒介(5)在垂直方向上的高度为1280nm。

9.如权利要求8所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述夹板层(6)在垂直方向上的高度为160nm，所述槽芯(7)在垂直方向上的高度为60nm。

10.如权利要求9所述的一种2μm波段的条‑槽‑条型极大负色散光波导，其特征在于，所述衬底(1)在水平方向上的宽度为2000nm，在垂直方向上的高度为4180nm。