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专利号: 2020110022252
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于磁控移相的相位自适应调节锁相放大器,包括自适应磁控移相模块、输入信号通道模块、参考信号移相电路、参考信号通道模块、相干解调模块、低通滤波模块和显示输出模块;其特征在于:所述的自适应磁控移相模块的信号输入端接调制后的信号,自适应磁控移相模块调整输入信号相位并把信号输出至下一级输入信号通道模块,输入信号通道模块将得到的信号放大一定倍数,进行带通滤波后,再经过缓冲器输出至相干解调模块;

所述的参考信号移相电路对参考驱动信号进行相位调整并输出给参考信号通道模块,所述的参考信号通道模块包括滤波电路、比较电路以及缓冲器,对相位调整后的信号滤波,以及比较得出方波信号,作为相干解调模块的驱动信号;相干解调模块对处理后的输入信号进行解调,输出给后级低通滤波模块;低通滤波模块将得到的解调信号进行低通滤波并输出给显示输出模块;

所述的自适应磁控移相模块包括多级串联的移相电路;所述的每一级移相电路为LC移相电路、RC移相电路、RLC移相电路中的一种;每一级移相电路中电容、电感、电阻至少一个为磁敏器件。

2.根据权利要求1所述的一种基于磁控移相的相位自适应调节锁相放大器,其特征在于:所述的作为磁敏器件的电容由多层磁性薄膜材料构成。

3.根据权利要求1所述的一种基于磁控移相的相位自适应调节锁相放大器,其特征在于:所述的作为磁敏器件的电感由磁性材料构成。

4.根据权利要求1所述的一种基于磁控移相的相位自适应调节锁相放大器,其特征在于:所述的作为磁敏器件的电阻为具有巨磁阻效应的磁敏变阻器、具有各向异性磁电阻效应的磁敏变阻器、具有隧道磁电阻效应的磁敏变阻器中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种基于磁控移相的相位自适应调节锁相放大器,其特征在于:所述的调制后的信号为当前环境下需要测量的微弱信号经过调制得到的高频信号。

6.根据权力要求1所述的一种基于磁控移相的相位自适应调节锁相放大器,其特征在于:所述的参考驱动信号为与调制后的信号同频率的方波或者正弦波。