1.一种提高芯片光刻工艺分辨率的方法，其特征在于：包括：

使用光源发出的光波通过偏振片后，聚光到掩膜板上，通过掩膜板之后射到晶圆片上，包括两次曝光过程：第一：Y轴偏振曝光：Y轴细线条曝光过程：光源、Y轴方向偏振片、聚光、掩膜板、物镜、晶圆片上光刻胶层，完成曝光。

第二：X轴偏振光进行曝光：方向细线条曝光过程：光源、X轴方向偏振片、聚光、掩膜板、物镜、晶圆片上光刻胶层，感光胶曝光。

2.如权利要求1所述的提高芯片光刻工艺分辨率的方法，可以使用在：激光器的波长为

436纳米、365纳米、246纳米、193纳米或13.6纳米光源光刻工艺。

3.如权利要求1所述的提高芯片光刻工艺分辨率的方法，其特征在于：掩膜板分为挡光区、透光区，透光区域分类处理，分为Y轴、X轴方向的接近分辨率的极细的线条，极细线条透光区设有偏光膜，是细线条的透光部分，其他部分涂有半透膜。

4.如权利要求1所述的提高芯片光刻工艺分辨率的方法，其特征在于：掩膜板分为Y方向掩膜板和X方向掩膜板，Y方向掩膜板和X方向掩膜板的细线条方向相互垂直。

5.如权利要求4所述的提高芯片光刻工艺分辨率的方法，其特征在于：两次曝光过程：光源经过Y轴偏振器后，输出Y轴方向偏振光，照射Y方向细线条掩膜板，再对圆晶片光刻胶进行曝光；然后光源经过X轴偏振器后，输出X轴方向偏振光，照射X方向细线条掩膜板，再对圆晶片光刻胶进行曝光。

6.权利要求1-5任一所述的提高芯片光刻工艺分辨率的方法在集成电路的光刻领域中的应用。