1.一种片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：包括，下包层(100),以及；

衬底层(200)，所述衬底层(200)设置在所述下包层(100)上，以及；

硅基波导层(300)，所述硅基波导层(300)设置在所述衬底层(200)上，所述硅基波导层(300)的两侧边分别为第一侧边(301)以及第二侧边(302)，在所述硅基波导层(300)的端面上设置有第一凹槽(303)，所述第一凹槽(303)的一侧边与所述第一侧边(301)重合；

在所述硅基波导层(300)的表面上还设置有第二凹槽(304)，所述第二凹槽(304)与所述第一凹槽(303)的同侧侧边与所述第一侧边(301)重合；以及，靠近所述第二侧边(302)处设置的第三凹槽(305)，沿所述第二侧边(302)方向设置在与所述第二凹槽(304)平行的第四凹槽(306)，所述第四凹槽(306)与第三凹槽(305)在沿第二侧边(302)的方向上位置相互平齐；

所述第四凹槽(306)与所述第三凹槽(305)之间还设置有第五凹槽(307)，所述第五凹槽(307)的其中一侧与所述第四凹槽(306)上靠近第三凹槽(305)一侧的侧边相接触，在所述第四凹槽(306)远离第三凹槽(305)的一侧设置有第六凹槽(308)，所述第六凹槽(308)与所述第四凹槽(306)相互接触；以及，上包层(400)，所述上包层(400)设置在所述硅基波导层(300)上。

2.如权利要求1所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述下包层(100)材质为单质Si材质，所述衬底层(200)为氧化硅材质，所述硅基波导层(300)的材质为单质Si材质，所述上包层(400)的材质为氮化硅材质。

3.如权利要求2所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述第一凹槽(303)至第六凹槽为(308)为矩形刻蚀槽，且每个槽的刻蚀深度相同并小于

100nm。

4.如权利要求2所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述硅基波导层(300)的宽度为2微米，高度为3微米；所述第一凹槽(303)的长度为6.07微米，所述第二凹槽(304)的长度为5.34微米，所述第三凹槽(305)的长度为5.43微米，所述第四凹槽(306)的长度为4.68微米，所述第五凹槽(307)的长度为3.47微米，所述第六凹槽(308)的长度为1.66微米。

5.如权利要求1～4任一所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述第一凹槽(303)、第二凹槽(304)以及第五凹槽(307)的宽度为0.6微米，所述第三凹槽(305)以及第四凹槽(306)的宽度为0.63微米，所述第六凹槽(308)的宽度为0.28微米。

6.如权利要求5所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述刻蚀深度为70～90nm。

7.如权利要求6所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述第一凹槽(303)与所述第三凹槽(305)之间在所述硅基波导层(300)表面上沿其宽度方向相距370nm，所述第五凹槽(307)距所述第一侧边(301)的沿所述硅基波导层(300)宽度方向的距离为790nm，所述第五凹槽(307)与所述第三凹槽(305)之间相距2230nm，所述第一凹槽(303)与所述第二凹槽(304)之间沿所述第一侧边(301)方向的相距距离为4940nm，所述第六凹槽(308)距所述第一侧边(301)的距离为800nm。

8.如权利要求7所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述上包层(400)与硅基波导层(300)之间通过浇筑成型。

9.如权利要求8所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述硅基波导层(300)的高度为300微米。

10.如权利要求9所述的片上集成基于硅基波导的TM0-TM3模序数转换器，其特征在于：所述硅基波导层(300)处于衬底层(200)上，且所述衬底层(200)的宽度超出所述硅基波导层(300)的宽度。