1.一种低功耗高开关速率电荷泵电路，其特征在于，包括电荷泵电路的电压输入端UP、DN，电流输出端IOUT，电流偏置输入电压BIAS，第一级放大器A1，第一电容C1，电流调节MOS管M1、M2、M3和M4，衬底可调节MOS管M5、M6、M7和M8，开关MOS管M10、M11、M12和M13，第一逆变器INV1和第二逆变器INV2，其中：电压输入端UP耦接于第一逆变器INV1并在第一逆变器INV1的输出得到另一电压输入端UPB，同时电压输入端UP耦接于开关MOS管M10的栅极和衬底可调节MOS管M8的栅极，电压输入端UPB耦接于另一开关MOS管M11的栅极和衬底可调节MOS管M8和M7的衬底；

电压输入端DN耦接于第二逆变器INV2并在第一逆变器INV1的输出得到另一电压输入端DNB；同时电压输入端DN耦接于开关MOS管M13的栅极和衬底可调节MOS管M6的栅极，电压输入端DNB耦接于另一开关MOS管M12的栅极和衬底可调节MOS管M5和M6的衬底；

电流偏置输入电压端BIAS耦接于电流调节MOS管M1的栅极和M2的栅极，M2的漏极耦接于电荷泵电流输出端IOUT和电流调节MOS管M4的漏极以及第一级放大器A1的输入负端；A1的输入正端耦接于第一电容C1的一端和电流调节MOS管M1的漏极以及开关MOS管M10、M11、M12和M13的漏极，A1的输出端耦接于电流调节MOS管M4的栅极和电流调节管M3的栅极；

电流可调节MOS管M4的源极耦接于开关MOS管M10和M11的源极；

M4的漏极耦接于衬底可调节MOS管M8的漏极，M8的源极耦接于电源电压和衬底可调节MOS管M7的源极，M7的漏极耦接于电流调节MOS管M3的源极，M3的漏极耦接于第一电容C1的另一端，电流调节MOS管M1的源极耦接于衬底可调节MOS管M5的漏极；

衬底可调节MOS管M5的栅极耦接于电源电压，其源极耦接于地和衬底可调节MOS管M6的源极；M6的漏极耦接于电流调节MOS管M2的源极以及开关MOS管M12和M13的源极。

2.根据权利要求1所述的低功耗高开关速率电荷泵电路，其特征在于，所述第一级放大器A1包括输入正电压V+，差分输入负电压V-，放大器输出OUT，其中：差分输入正电压V+耦接于第一级放大器差分输入MOS管M14的栅极，第一级放大器差分输入MOS管M14的漏极耦接于电流镜像M16的栅极和漏极以及电流镜像管M17、M19的栅极，差分输入MOS管M14的源极耦接于差分输入MOS管M15的源极和放大器尾电流MOS管的M20的漏极；

差分输入负电压V-耦接于第一级放大器差分输入MOS管M15的栅极，M15的漏极耦接于第二级放大器输入MOS管M18的栅极和电流镜像MOS管M17的漏极，M15的源极耦接于放大器尾电流MOS管的M20的漏极和差分输入MOS管M14的源极；

放大器尾电流MOS管M20的源极耦接于地和放大器尾电流镜像MOS管M21的源极，其栅极耦接于M21的栅极和漏极以及第一电阻R1的一端，R1的另一端耦接于电源；

放大器的输出端IOUT耦接于第二级放大器输入MOS管M18的漏极和电流镜像MOS管M19的漏极，第二级放大器输入MOS管M18的源极耦接于地，电流镜像MOS管M19的源极耦接于电源。

3.根据权利要求1所述的低功耗高开关速率电荷泵电路，其特征在于，衬底可调节MOS管M8和M6起到了开关的作用，当电压输入端UP信号为低时，衬底可调节MOS管M8开启，电流输出端IOUT往外输出电流。当电压输入端DN信号为高时，衬底可调节MOS管M6开启，电流输出端IOUT往内吸取电流。

4.根据权利要求1所述的低功耗高开关速率电荷泵电路，其特征在于，开关MOS管M10、M11组成一个由电压输入端UP和电压输入端UPB的电压信号控制的CMOS管传输门，开关MOS管M12、M13组成一个由电压输入端DN和电压输入端DNB的电压信号控制的CMOS管传输门；

当电压输入端UP信号为高，电压输入端UPB信号为低，电压输入端DN信号为低，电压输入端DNB信号为高时，开关MOS管M10、M11、M12、M13组成的两个CMOS传输门导通，使得电流调节管M4的源极，电流调节管M2的源极和电流调节管M1的漏极连接在一起，其电压就与电流输出端的电压相等，这样就使得衬底可调节MOS管M8和M6导通时其漏极电容的充放电时间减少，从而提高开关速度。

5.一种电荷泵，其特征在于，该电荷泵采用根据权利要求1至4中任一权利要求所述的低功耗高开关速率电荷泵电路。