1.一种促进钙钛矿单晶薄片生长的方法，其特征在于，包括以下步骤：将钙钛矿前驱体溶液放置在聚四氟乙烯器皿中，将聚四氟乙烯器皿至于热浴物质中开始加热，加热至设定温度保温，直至钙钛矿单晶薄片结晶结束；所述钙钛矿前驱体溶液的溶剂为DMF和DMSO的混合液。

2.根据权利要求1所述的一种促进钙钛矿单晶薄片生长的方法，其特征在于，所述前驱体溶液由第一钙钛矿溶液和第二钙钛矿溶液混合而成，所述第一钙钛矿溶液的溶剂为DMF，第二钙钛矿溶液的溶剂为DMSO，第一钙钛矿溶液的溶质和第二钙钛矿溶液的溶质相同。

3.根据权利要求2所述的一种促进钙钛矿单晶薄片生长的方法，其特征在于，所述第一钙钛矿溶液和第二钙钛矿溶液的溶质均为APbX3，其中A为Cs2+、CH3NH32+和CH(NH2)22+，X为卤素。

4.根据权利要求2所述的一种促进钙钛矿单晶薄片生长的方法，其特征在于，第一钙钛矿溶液和第二钙钛矿溶液的混合体积比为1：(4-6)，第一钙钛矿溶液和第二钙钛矿溶液的混合温度为60-90℃。

5.根据权利要求2所述的一种促进钙钛矿单晶薄片生长的方法，其特征在于，所述第一钙钛矿溶液中，钙钛矿溶质的浓度为0.5-3M。

6.根据权利要求2所述的一种促进钙钛矿单晶薄片生长的方法，其特征在于，所述第二钙钛矿溶液中，钙钛矿溶质的浓度为1-6M，所述第二钙钛矿溶液的配制温度为60-90℃。

7.根据权利要求1所述的一种钙钛矿单晶薄片控制生长厚度的方法，其特征在于，所述热浴物质为油。

8.根据权利要求1所述的一种钙钛矿单晶薄片控制生长厚度的方法，其特征在于，在热浴物质中加热的初始温度为60-90℃，加热至100-120℃进行保温。

9.一种通过权利要求1-8任意一种方法制得的钙钛矿单晶薄片，其特征在于，所述钙钛矿单晶薄片的厚度为≥10μm。

10.一种权利要求9所述钙钛矿单晶薄片在钙钛矿太阳能电池及器件中的应用。