1.一种增强2D 过渡金属硫族化合物光致发光的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）准备第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底均为SiO2/Si衬底，清洗第一衬底，在所述第一衬底上生长单分子层二硫化钨，得到二硫化钨/SiO2/Si衬底；在所述第二衬底上蒸镀厚度为280~300nm的金层，再在所述金层上蒸镀2~25nm厚的SiO2层，得到SiO2/Au/SiO2/Si衬底；

2）在面积份数为0.25~1的二硫化钨/SiO2/Si衬底的单分子层二硫化钨上滴加200~500体积份数的聚甲基丙烯酸甲酯，采用匀胶台于2000 5000转/分钟匀胶5 8min，再置于50 90~ ~ ~℃的加热台上加热3 15min，再浸入KOH水溶液0.3 0.5小时，以使负载有PMMA的单分子层二~ ~硫化钨脱落，将负载有PMMA的单分子层二硫化钨放入水中，采用SiO2/Au/SiO2/Si衬底将所述负载有PMMA的单分子层二硫化钨从水中托出，干燥3~6小时，去除PMMA，其中，SiO2/Au/2

SiO2/Si衬底的SiO2层一面用于与所述单分子层二硫化钨接触，所述面积份数的单位为cm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1）中，清洗第一衬底的方法为：将第一衬底在丙酮中超声6 9min，再置于无水乙醇中超声7 12min，最后置于去离子水中超~ ~声5 10min，于40 80℃干燥10 50min。

~ ~ ~

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1）中，所述SiO2/Si衬底为镀有SiO2层的Si片，SiO2层的厚度为270~290nm；

单分子层二硫化钨位于第一衬底的SiO2层一面，金层位于第二衬底的SiO2层一面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1）中，在所述第一衬底上生长单分子层二硫化钨的方法为：在管式炉中的进气端放置硫粉，将WO3粉末和氯化钾粉末混合得到掺杂物，将掺杂物放置于石英舟内，再将第一衬底水平放置在石英舟上且第一衬底的SiO2层朝向所述掺杂物，将所述石英舟放置于硫粉远离管式炉进气端的一侧，通过进气端向所述管式炉内通入惰性气体，在惰性气体环境下，对所述掺杂物和硫粉同时进行加热，其中，将所述掺杂物从室温20 25℃进行第一次升温至700 750℃，立刻再进行第二次升温至~ ~

890‑950℃并于该温度保温3 5min，保温结束，降至室温；将所述硫粉升温至50‑400℃并于~该温度保持至所述掺杂物的第二次升温后保温结束，降至室温，按质量份数计，所述硫粉和掺杂物的比为（0.18~0.2）：0.01，所述WO3粉末和氯化钾粉末的比为（0.01~0.015）：（0.001~

0.005），所述第一衬底的面积份数与所述硫粉的质量份数的比为（2 5.25）：（0.2 0.3），所~ ~2

述面积份数的单位为cm，所述质量份数的单位为g。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述石英舟与所述硫粉的距离为25 35cm；

~

所述第一衬底的SiO2层与所述掺杂物的距离为1~3cm；

通入惰性气体的速率为90 110sccm，其中，在以90 110sccm的速率通入惰性气体前先~ ~以1050 1200sccm的速率向管式炉内通入惰性气体，用于去除所述管式炉内的空气；

~

所述第一次升温的升温速率为15 40℃/min，所述第二次升温的升温速率为15 35℃/~ ~min，将所述硫粉升温至50‑400℃的升温速率为5 15℃/min；

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所述惰性气体为氩气；

所述管式炉中用于放置石英舟的石英管的长度为80 110cm，内径为20 30mm。

~ ~

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1）中，在所述金层上蒸镀SiO2层‑3 ‑3采用真空镀膜机，在蒸镀前将所述真空镀膜机的蒸镀腔抽真空至4.0×10 ～9.5×10 Pa且于170~200℃保温900~1200s，所述真空镀膜机蒸镀SiO2层所采用的膜料为二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2）中，去除PMMA的方法为：采用丙酮浸泡5 10min。

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8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2）中，所述面积份数的单位为2

cm，所述体积份数的单位为μL。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2）中，所述KOH水溶液中KOH的浓度为0.13 0.15g/mL；

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在所述步骤2）中，所述干燥的温度为40 70℃。

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10.如权利要求1 9中任意一项所述方法在增强单分子层二硫化钨光致发光强度中的~应用。