1.一种增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)准备第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底分别为SiO2/Si衬底，清洗第一衬底，在所述第一衬底上生长单分子层二硫化钨，得到二硫化钨/SiO2/Si衬底；在所述第二衬底上蒸镀厚度为280～300nm的金层，再在所述金层上蒸镀2～25nm厚的SiO2层，得到SiO2/Au/SiO2/Si衬底；

2)在面积份数为0.25～1的二硫化钨/SiO2/Si衬底的单分子层二硫化钨上滴加200～

500体积份数的聚甲基丙烯酸甲酯，采用匀胶台于2000～5000转/分钟匀胶5～8min，再置于

50～90℃的加热台上加热3～15min，再浸入KOH水溶液0.3～0.5小时，以使负载有PMMA的单分子层二硫化钨脱落，将负载有PMMA的单分子层二硫化钨放入水中，采用SiO2/Au/SiO2/Si衬底将所述负载有PMMA的单分子层二硫化钨从水中托出，干燥3～6小时，去除PMMA，其中，SiO2/Au/SiO2/Si衬底的SiO2层一面用于与所述单分子层二硫化钨接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，清洗第一衬底的方法为：将第一衬底在丙酮中超声6～9min，再置于无水乙醇中超声7～12min，最后置于去离子水中超声5～10min，于40～80℃干燥10～50min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述SiO2/Si衬底为镀有SiO2层的Si片，SiO2层的厚度为270～290nm；

单分子层二硫化钨位于第一衬底的SiO2层一面，金层位于第二衬底的SiO2层一面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，在所述第一衬底上生长单分子层二硫化钨的方法为：在管式炉中的进气端放置硫粉，将WO3粉末和氯化钾粉末混合得到掺杂物，将掺杂物放置于石英舟内，再将第一衬底水平放置在石英舟上且第一衬底的SiO2层朝向所述掺杂物，将所述石英舟放置于硫粉远离管式炉进气端的一侧，通过进气端向所述管式炉内通入惰性气体，在惰性气体环境下，对所述掺杂物和硫粉同时进行加热，其中，将所述掺杂物从室温20～25℃进行第一次升温至700～750℃，立刻再进行第二次升温至890-950℃并于该温度保温3～5min，保温结束，降至室温；将所述硫粉升温至50-400℃并于该温度保持至所述掺杂物的第二次升温后保温结束，降至室温，按质量份数计，所述硫粉和掺杂物的比为(0.18～0.2)：0.01，所述WO3粉末和氯化钾粉末的比为(0.01～0.015)：(0.001～0.005)，所述第一衬底的面积份数与所述硫粉的质量份数的比为(2～5.25)：(0.2～0.3)，所述面积份数的单位为cm2，所述质量份数的单位为g。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述石英舟与所述硫粉的距离为25～

35cm；

所述第一衬底的SiO2层与所述掺杂物的距离为1～3cm；

通入惰性气体的速率为90～110sccm，其中，在以90～110sccm的速率通入惰性气体前先以1050～1200sccm的速率向管式炉内通入惰性气体，用于去除所述管式炉内的空气；

所述第一次升温的升温速率为15～40℃/min，所述第二次升温的升温速率为15～35℃/min，将所述硫粉升温至50-400℃的升温速率为5～15℃/min；

所述惰性气体为氩气；

所述管式炉中用于放置石英舟的石英管的长度为80～110cm，内径为20～30mm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，在所述金层上蒸镀SiO2层采用真空镀膜机，在蒸镀前将所述真空镀膜机的蒸镀腔抽真空至4.0×10-3～9.5×10-3Pa且于170～200℃保温900～1200s，所述真空镀膜机蒸镀SiO2层所采用的膜料为二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2)中，去除PMMA的方法为：采用丙酮浸泡5～10min。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2)中，所述面积份数的单位为cm2，所述体积份数的单位为μL。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2)中，所述KOH水溶液中KOH的浓度为0.13～0.15g/mL；

在所述步骤2)中，所述干燥的温度为40～70℃。

10.如权利要求1～9中任意一项所述方法在增强单分子层二硫化钨光致发光强度中的应用。