1.硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将3-氨基苯硼酸和柠檬酸钠溶于水中，调节pH值为9后通入氮气反应1h，然后加热至140℃～160℃下继续反应6h～8h，反应结束后冷却至室温，过滤、离心后即得到硼酸功能化的碳量子点原液，取所述原液加水稀释得到硼酸功能化碳量子点溶液；

(2)将所述硼酸功能化碳量子点溶液、葡萄糖溶液和PBS缓冲溶液在室温下搅拌混合均匀，得到分子印迹前体混合液；将经过抛光打磨、清洗后的电极置于所述分子印迹前体混合液中，调节pH值为8～11，通过电化学方法聚合成膜，得到硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极；

(3)采用有机酸洗脱液洗脱所述硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的模板分子葡萄糖，即得到硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器。

2.根据权利要求1所述的硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述3-氨基苯硼酸和所述柠檬酸钠的质量比为1:(5～

20)；所述3-氨基苯硼酸在所述水中的浓度为0.005g·mL-1。

3.根据权利要求1所述的硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述原液与稀释所述原液所加入的水的体积比为1:49；

所述葡萄糖溶液的摩尔浓度为0.1M；所述PBS缓冲溶液的摩尔浓度为0.05M；所述葡萄糖溶液、所述硼酸功能化碳量子点溶液、所述PBS缓冲溶液的体积比为(0.1～1):1:40。

4.根据权利要求1所述的硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中加热的温度为160℃、反应的时间为8h；步骤(2)中的pH值为9。

5.根据权利要求1所述的硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述电化学方法是在-0.2V～0.6V的电位范围下，以

50mV·s-1的扫描速率进行扫描20圈进而聚合成膜。

6.根据权利要求1所述的硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述有机酸洗脱液为体积分数10％的乙酸溶液，所述乙酸溶液中含有1wt％的SDS。

7.根据权利要求6所述的硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，所述洗脱模板分子葡萄糖的过程是将得到的所述硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极置于所述洗脱液中进行电化学洗脱50圈～300圈。

8.根据权利要求1～7任一项制备方法制得的硼酸功能化碳量子点-聚合物修饰电极的分子印迹传感器应用于生理条件下的葡萄糖检测或者应用于发酵液品中葡萄糖的检测。