1.一种沟道长度亚10 nm石墨烯TFET，其特征在于包括顶栅、底栅、栅氧化层、应变处理后石墨烯条带，其中栅氧化层分为顶部栅氧化层、底部栅氧化层，石墨烯条带设置在顶部栅氧化层、底部栅氧化层之间；石墨烯条带分为源区、漏区和沟道区，其中中间位置为沟道区，源区和漏区间隔分布在沟道区两侧；顶栅设置在顶部栅氧化层的上方，与沟道区位置相对应；底栅设置在底部栅氧化层的下方，与沟道区位置相对应；沟道长度为亚10 nm，即≤

10nm；

所述的应变处理后石墨烯条带为将石墨烯条带施加一定的应变力，使得石墨烯条带产生电流传输方向的应变，以增长或缩短石墨烯结构中的碳‑碳键，改变原子间的跃迁能；其中石墨烯条带产生电流传输方向的应变强度范围为‑1%～+7%；

所述的石墨烯条带是有带隙的单层石墨烯纳米条带。

2.如权利要求1所述的一种沟道长度亚10 nm石墨烯TFET，其特征在于所述的源区、漏区和沟道区的宽度相等。

3.如权利要求1所述的一种沟道长度亚10 nm石墨烯TFET，其特征在于所述的石墨烯条带为扶手椅型石墨烯纳米条带。

4.如权利要求1所述的一种沟道长度亚10 nm石墨烯TFET，其特征在于所述的栅氧化层采用SiO2材料。

5.如权利要求1所述的一种沟道长度亚10 nm石墨烯TFET，其特征在于石墨烯条带拉伸至应变为+4.5%，石墨烯条带沟道长度为7 nm。

6.一种提高沟道长度亚10 nm石墨烯TFET性能的方法，其特征在于对亚10 nm沟道长度石墨烯条带TFET的石墨烯条带施加一定的应变力，使得石墨烯条带产生电流传输方向的应变，以增长或缩短石墨烯结构中的碳‑碳键，改变原子间的跃迁能；其中石墨烯条带应变强度范围为‑1%～+7%；

所述的石墨烯条带是有带隙的单层石墨烯纳米条带。