1.一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板；所述惰性耐火陶瓷板为氮化硅盖板。

2.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述氮化硅粉的颗粒粒径为0.3 2μm。

~

3.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，二氧化硅粉的颗粒粒径为10 100μm。

~

4.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述氮化硅坯体四周氮化硅粉体的包埋厚度大于2cm。

5.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，平铺二氧化硅粉后，在烧结容器开口部覆盖盖体。

6.根据权利要求1 4任一项所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述二~氧化硅粉的平铺高度大于5cm且低于烧结容器开口部。

7.一种氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）制备氮化硅陶瓷坯体；

（b）前处理：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板；

（c）将烧结容器开口部覆盖盖体形成烧结体系，然后将烧结体系置于空气气氛中烧结；

所述惰性耐火陶瓷板为氮化硅盖板。

8.根据权利要求7所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷坯体由以下质量百分比的原料制成：氮化硅 80 90%，氧化镁5 9%，氟化锂 1 3%，稀土氧化物 4~ ~ ~ ~

8%。

9.根据权利要求8所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述稀土氧化物为Y2O3、Yb2O3、Sm2O3、Sc2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3中的一种。

10.根据权利要求7 9任一项所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述烧结的~温度为1500 1650℃，时间为2 15h。

~ ~