1.一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板。

2.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述氮化硅粉的颗粒粒径为0.3～2μm。

3.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，二氧化硅粉的颗粒粒径为10～100μm。

4.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述氮化硅坯体四周氮化硅粉体的包埋厚度大于2cm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述二氧化硅粉的平铺高度大于5cm且低于烧结容器开口部。

6.一种氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)制备氮化硅陶瓷坯体；

(b)前处理：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板；

(c)将烧结容器开口部覆盖盖体形成烧结体系，然后将烧结体系置于空气气氛中烧结。

7.根据权利要求6所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷坯体由以下质量百分比的原料制成：氮化硅80～90％，氧化镁5～9％，氟化锂1～3％，稀土氧化物4～8％。

8.根据权利要求7所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述稀土氧化物为Y2O3、Yb2O3、Sm2O3、Sc2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3中的一种。

9.根据权利要求6～8任一项所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为1500～1650℃，时间为2～15h。

10.一种采用如权利要求6～9任一项所述的氮化硅陶瓷的制备方法制成的氮化硅陶瓷。