1.一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、构建基底材料模型；

S2、获得不同边界的hBN纳米带；

沿hBN纳米片的扶手椅型BN(BNac)、扶手椅型NB(NBac)、富硼“Z”字型(Bzz)及富氮“Z”字型(Nzz)四种边界剪切，获得四种不同边界hBN纳米带；

S3、构建hBN纳米片或氢钝化hBN纳米片模型；

从S2获得的不同边界的hBN纳米带中，任选两个相同或不同hBN纳米带置于S1提供的基底材料模型上，模拟融合，获得不同边界hBN纳米片模型；

对S2获得的不同边界hBN纳米带的边界分别进行氢钝化，获得不同边界氢钝化hBN纳米带，再任选两个相同或不同氢钝化hBN纳米带置于S1提供的基底材料模型上，获得不同边界氢钝化hBN纳米片模型；

S4、确定最佳可融合成单晶hBN纳米片模型；

基于第一性原理分别对S3获得的不同边界hBN纳米片模型及不同边界氢钝化hBN纳米片模型进行结构弛豫，分别获得不同边界的hBN纳米片模型体系的总能量和相对能量，以及不同边界的氢钝化hBN纳米片模型体系的总能量和相对能量，通过比较两种体系的相对能量，筛选能量最低的结构，分别获得氢钝化边界hBN最佳可融合成单晶hBN纳米片模型及无氢钝化hBN最佳可融合成单晶hBN纳米片模型；

S5、确定氢压范围；

通过计算绘制氢钝化边界hBN最佳可融合成单晶hBN纳米片模型与无氢钝化hBN最佳可融合成单晶hBN纳米片模型间的热动能相图，确定氢压范围，并且判断圆形hBN晶粒边界是否被氢钝化。

2.根据权利要求1所述的模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述构建基底材料模型，具体步骤如下：以基底材料的晶体结构为基础，沿晶体结构的基本方向截取五原子厚单胞晶面，并将所述的单胞晶面扩大为n×m超胞晶面；随后将扩大的超胞晶面底层原子固定，其余四层原子完全放松；然后基于第一性原理进行结构弛豫优化，获得基底材料模型。

3.根据权利要求2所述的模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底材料为金或铜。

4.根据权利要求3所述的模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述n×m超胞晶面中的n，m各自独立取值为3～10中的整数。

5.根据权利要求1所述的模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，S3中，置于基底表面的hBN纳米带或氢钝化hBN纳米带放置于距离基底最顶层 处，

6.根据权利要求5所述的模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述模拟融合过程中，通过分子动力学模拟两个相同或不同的hBN纳米带(或者两个相同或不同的氢钝化hBN纳米带)的融合过程，模拟温度设置为273K到1400K，并通过视频呈现整个过程。

7.根据权利要求1所述的模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，S2中，所述四种不同边界hBN纳米带为扶手椅型BN(BNac)纳米带、扶手椅型NB(NBac)纳米带、富硼“Z”字型(Bzz)纳米带及富氮“Z”字型(Nzz)纳米带。

8.根据权利要求7所述的模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，S3中，所述不同边界的hBN纳米片模型为BNac-BNac、BNac-NBac、NBac-NBac、NBac-BNac、BNac-Bzz、BNac-Nzz、NBac-Bzz、NBac-Nzz、Bzz-Bzz、Bzz-Nzz、Bzz-BNzc、Bzz-NBac、Nzz-Bzz、Nzz-Nzz、Nzz-BNac、Nzz-NBac。