1.一种基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，所述吸波器由吸波器单元构成，所述吸波器单元设置有9层结构，从上到下依次为石墨烯层和Topas介质层共8层间隔设置，底层为金属层，所述石墨烯层为椭圆形且每个相邻的所述石墨烯层的长轴互相垂直设置。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，所述吸波器由30～100个吸波器单元构成。

3.根据权利要求1所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，在每个吸波器单元中，所述石墨烯层从上到下依次包括第一石墨烯层、第二石墨烯层、第三石墨烯层以及第四石墨烯层，所述第一石墨烯层的长轴范围为2.73μm～5.07μm，短轴范围为

2.17μm～4.03μm，所述第二石墨烯层的长轴范围为1.82μm～3.38μm，短轴范围为1.47μm～

2.73μm，所述第三石墨烯层的长轴范围为1.40μm～2.60μm，短轴范围为1.12μm～2.08μm，所述第四石墨烯层的长轴范围为1.11μm～4.03μm，短轴范围为0.90μm～1.66μm。

4.根据权利要求1所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，在每个吸波器单元中，所述Topas介质层从上到下依次包括第一Topas介质层、第二Topas介质层、第三Topas介质层以及第四Topas介质层，所述第一Topas介质层、所述第二Topas介质层和所述第三Topas介质层的厚度为1.46μm～2.71μm，所述第四Topas介质层的厚度为6.02μm～11.18μm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，所述Topas介质层为环烯烃共聚物且形状为矩形，所述Topas介质层的长度和宽度范围为2.81um～5.23um。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，所述金属层的形状为矩形，其长度和宽度的范围为2.81um～5.23um，厚度的范围为

3.5μm～6.5μm。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，每个所述石墨烯层的厚度的范围为0.35nm～0.65nm，且每个所述石墨烯层设置于所述Topas介质层的中心位置。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，每个所述吸波器单元的厚度范围为13.90μm～25.81μm。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，改变每个所述石墨烯层的长轴和短轴的长度范围可独立调节8个吸波频段的频率。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的基于石墨烯的多频段易调谐太赫兹吸波器，其特征在于，每个所述石墨烯层的本征载流子的掺杂浓度不同，且掺杂浓度为7.6×1010cm-2～

10 -2

8.4×10 cm 。