1.一种霍尔传感器，其特征在于，包括P型衬底以及位于所述P型衬底上的N阱有源区、P型覆盖层、引出电极和至少四个接触孔，所述N阱有源区和所述引出电极均具有至少四个叉指；

所述P型覆盖层和所述引出电极位于所述N阱有源区的中间区域；所述引出电极覆盖所述P型覆盖层，且分布在所述P型覆盖层的中间区域；所述至少四个接触孔分布在所述N阱有源区的四周，且分别位于所述引出电极的至少四个叉指的外端。

2.根据权利要求1所述的霍尔传感器，其特征在于，所述接触孔在其延伸方向上的长度大于或等于所述引出电极中与所述接触孔对应设置的叉指的长度。

3.根据权利要求1所述的霍尔传感器，其特征在于，所述P型覆盖层是采用横向扩散金属氧化物半导体的浅掺杂材料进行注入实现的。

4.根据权利要求3所述的霍尔传感器，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体的浅掺杂材料包括氟和硼。

5.一种霍尔传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供P型衬底；

在所述P型衬底上形成N阱有源区；

在所述N阱有源区的中间区域形成引出电极，所述引出电极和所述N阱有源区均具有至少四个叉指；

在所述N阱有源区的中间区域进行材料注入形成P型覆盖层，所述引出电极覆盖所述P型覆盖层，且分布在所述P型覆盖层的中间区域；

在所述N阱有源区的四周形成至少四个接触孔，所述至少四个接触孔分别位于所述引出电极的至少四个叉指的外端。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述接触孔在其延伸方向上的长度大于或等于所述引出电极中与所述接触孔对应设置的叉指的长度。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述N阱有源区的中间区域进行材料注入形成P型覆盖层包括：采用横向扩散金属氧化物半导体的浅掺杂材料在所述N阱有源区的中间区域进行材料注入形成P型覆盖层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体的浅掺杂材料包括氟和硼。