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专利号: 2020111372107
申请人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕
更新日期:2025-01-21
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种光学邻近矫正模型构建方法,其特征在于,所述方法包括:

获取待测掩膜板图案,其中所述待测掩膜板图案包括与目标电路图案对应的待校验掩膜图案及构成所述待校验掩膜图案所需的至少一种基础掩膜图案,其中所述基础掩膜图案是作为所述待校验掩膜图案的组件的规则图案;

对所述待测掩膜板图案进行真实曝光试验,并采集得到与所述待测掩膜板图案对应的真实曝光图形,其中所述真实曝光图形由所述待测掩膜板图案在真实环境下受到光学邻近效应影响曝光得到;

对所述待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真,得到对应的仿真曝光图形,其中所述仿真曝光图形由所述待测掩膜板图案在排除光学邻近效应影响的情况下通过光学仿真软件仿真得到;

从所述真实曝光图形中提取与所述基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息,及与所述待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息,并从所述仿真曝光图形中提取与所述待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息;

计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异,得到对应的目标图案轮廓差异;

基于所述第一曝光图案尺寸信息构建初始光学邻近矫正模型,并基于所述目标图案轮廓差异及所述目标电路图案的图案形状对所述初始光学邻近矫正模型进行参数调整,得到针对所述待校验掩膜图案且与所述目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异,得到对应的目标图案轮廓差异,包括:根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息,确定与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓之间的轮廓基准点;

基于所述轮廓基准点将所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓进行轮廓对准;

确定对准后的所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓各自对应的多个轮廓特征量测点;

针对第二曝光图案轮廓上的每个轮廓特征量测点,计算该轮廓特征量测点与所述仿真曝光图案轮廓上的各轮廓特征量测点之间的最小量测距离,得到所述目标图案轮廓差异。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异,得到对应的目标图案轮廓差异,包括:根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息,确定与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓各自的外接矩形框;

在确定出的每个外接矩形框内,构建位置相同且与该外接矩形框内的曝光图案轮廓连接的多根量测线段;

计算两个所述外接矩形框内位置相同的多根量测线段之间的长度差值,得到所述目标图案轮廓差异。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异,得到对应的目标图案轮廓差异,包括:根据所述第二曝光图案轮廓信息及所述仿真曝光图案轮廓信息,在与所述待校验掩膜图案相关的第二曝光图案轮廓与仿真曝光图案轮廓内填充基础尺寸网格;

根据所述基础尺寸网格的网格尺寸以及所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓各自对应的网格数目,计算所述第二曝光图案轮廓与所述仿真曝光图案轮廓之间的轮廓面积差值,得到所述目标图案轮廓差异。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

基于所述目标光学邻近矫正模型对所述待校验掩膜图案进行光学矫正,并对矫正得到的目标掩膜图案进行真实曝光验证。

6.一种光学邻近矫正模型构建装置,其特征在于,所述装置包括:

待测掩膜获取模块,用于获取待测掩膜板图案,其中所述待测掩膜板图案包括与目标电路图案对应的待校验掩膜图案及构成所述待校验掩膜图案所需的至少一种基础掩膜图案,其中所述基础掩膜图案是作为所述待校验掩膜图案的组件的规则图案;

真实曝光处理模块,用于对所述待测掩膜板图案进行真实曝光试验,并采集得到与所述待测掩膜板图案对应的真实曝光图形,其中所述真实曝光图形由所述待测掩膜板图案在真实环境下受到光学邻近效应影响曝光得到;

曝光仿真处理模块,用于对所述待测掩膜板图案进行曝光模拟仿真,得到对应的仿真曝光图形,其中所述仿真曝光图形由所述待测掩膜板图案在排除光学邻近效应影响的情况下通过光学仿真软件仿真得到;

曝光信息提取模块,用于从所述真实曝光图形中提取与所述基础掩膜图案对应的第一曝光图案尺寸信息,及与所述待校验掩膜图案对应的第二曝光图案轮廓信息,并从所述仿真曝光图形中提取与所述待校验掩膜图案对应的仿真曝光图案轮廓信息;

矫正模型构建模块,用于计算所述第二曝光图案轮廓信息与所述仿真曝光图案轮廓信息之间的轮廓差异,得到对应的目标图案轮廓差异,接着基于所述第一曝光图案尺寸信息构建初始光学邻近矫正模型,并基于所述目标图案轮廓差异及所述目标电路图案的图案形状对所述初始光学邻近矫正模型进行参数调整,得到针对所述待校验掩膜图案且与所述目标电路图案匹配的目标光学邻近矫正模型。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

掩膜图案调验模块,用于基于所述目标光学邻近矫正模型对所述待校验掩膜图案进行光学矫正,并对矫正得到的目标掩膜图案进行真实曝光验证。

8.一种计算机设备,其特征在于,包括处理器和存储器,所述存储器存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令,所述处理器可执行所述机器可执行指令,以实现权利要求1-5中任意一项所述的光学邻近矫正模型构建方法。

9.一种可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时,实现权利要求1-5中任意一项所述的光学邻近矫正模型构建方法。

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