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专利号: 2020111382236
申请人: 新余学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉,包括配套设置的炉体(1)和炉盖(2),所述炉体(1)的内部通过拉锭机构(6)支撑设置有石墨坩埚(7),所述石墨坩埚(7)用于盛装多晶硅原料、高温熔化后的硅液以及借助定向凝固法凝固成型的多晶硅锭,所述多晶硅锭由分层凝固在一起的多晶硅层(8)和杂质层(9)构成,所述炉体(1)的内部还设置有发热机构(11),所述炉盖(2)上从外界通入有进气管(12),所述进气管(12)对准所述石墨坩埚(7)的开口,其特征在于:

所述炉盖(2)为可升降结构,其借助升降机构来进行升降活动,且其内侧设有取锭机构;

所述取锭机构包括有取锭筒(13)和调节筒(14),所述取锭筒(13)的一端与所述炉盖(2)固定连接,另一端与所述石墨坩埚(7)的顶部边缘配合接触,且所述取锭筒(13)的侧壁内一上一下分别开设有沿径向贯通设置的第一腔体(17)和第三腔体(19),还开设有沿轴向设置且联通所述第一腔体(17)和所述第三腔体(19)的第二腔体(18),三者共同构成Z字型空腔,该空腔内部设置有呈L型的压紧件(15)以及呈直板状的定位件(16),二者组合呈与该空腔形状相匹配的Z字型结构,其中所述压紧件(15)的一端从所述第一腔体(17)内延伸至所述取锭筒(13)的外侧,另一端延伸至所述第三腔体(19)内,且在该空腔内,所述压紧件(15)可沿着所述取锭筒(13)的轴向进行滑动,所述定位件(16)则设置在所述第三腔体(19)内,所述压紧件(15)的端部与所述定位件(16)的顶部配合接触,所述调节筒(14)螺纹套接在所述取锭筒(13)上,且所述调节筒(14)位于所述压紧件(15)的上方;

所述定位件(16)可沿着所述第三腔体(19)进行移动,所述定位件(16)在沿着所述第三腔体(19)移动的过程中,可凸出至所述取锭筒(13)的内侧,也可凸出至所述石墨坩埚(7)开口端的内侧;

所述取锭筒(13)靠近所述石墨坩埚(7)一端的外缘开设有环形槽,该端的轴向截面呈台阶状,且该台阶状结构与所述石墨坩埚(7)的顶部形状相配合。

2.根据权利要求1所述的一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉,其特征在于:带动所述炉盖(2)进行升降活动的升降机构包括有两块下支撑板(3)、两块上支撑板(4)和两个电动气缸(5),其中两块所述下支撑板(3)分别固定安装在所述炉体(1)外壁的两侧,两块所述上支撑板(4)分别固定安装在所述炉盖(2)外壁的两侧,每个所述电动气缸(5)均设于一块所述下支撑板(3)和一块所述上支撑板(4)之间。

3.根据权利要求1所述的一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述第一腔体(17)、第二腔体(18)和第三腔体(19)均至少开设有两个,三者在所述取锭筒(13)上构成多个等高的Z字型空腔。

4.根据权利要求1所述的一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述定位件(16)靠近所述压紧件(15)的一侧开设有卡槽(20),所述卡槽(20)与所述压紧件(15)的端部卡接配合。

5.根据权利要求1所述的一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述定位件(16)远离所述取锭筒(13)轴心的一端开设有拉槽(21)。

6.根据权利要求1所述的一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述炉体(1)的内部还设置有由碳毡材质制成的保温机构(10),所述保温机构(10)呈圆筒状,其将所述发热机构(11)和所述石墨坩埚(7)包围起来。

7.根据权利要求1所述的一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述进气管(12)内通入的是氩气。

8.根据权利要求1所述的一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述石墨坩埚(7)和取锭筒(13)的内壁以及所述定位件(16)的外壁均涂有高温润滑剂。