1.一种入射角与极化不敏感的太赫兹吸波器，其特征在于，包括金属底板和呈对称以及阵列式排列在所述金属底板上的阵列单元，单个阵列单元包括一个陶瓷颗粒以及一个与所述陶瓷颗粒同心的谐振环，所述谐振环贴合所述金属底板的上表面，高介电陶瓷颗粒位于所述金属底板之上，不直接接触所述金属底板；

所述陶瓷颗粒材料为钛酸钙，所述谐振环的材料为钛酸锂，所述金属底板的材质为铝片或铜片。

2.如权利要求1所述的入射角与极化不敏感的太赫兹吸波器，其特征在于，所述陶瓷颗粒的形状任选自球形、正方体、圆柱体；所述谐振环的形状任选自圆环、多边形环。

3.如权利要求1所述的入射角与极化不敏感的太赫兹吸波器，其特征在于，所述高介电陶瓷颗粒及同心环尺寸均为um级。

4.如权利要求1所述的入射角与极化不敏感的太赫兹吸波器，其特征在于，所述陶瓷颗粒的直径或边长为3～10um，谐振环的宽度为1～2um，相邻两陶瓷颗粒之间的距离为20～

28um，陶瓷颗粒底部与金属底板之间的距离为5～8.5um。

5.如权利要求1所述的入射角与极化不敏感的太赫兹吸波器，其特征在于，所述高介电陶瓷颗粒通过绝缘材料粘贴在所述金属底板上或者镶嵌在所述金属底板上。

6.如权利要求1～5任一项所述的入射角与极化不敏感的太赫兹吸波器的应用，其特征在于，通过调节陶瓷颗粒的大小、形状、介电常数，金属底板的材质，陶瓷颗粒以及金属底板之间的距离来调节阵列单元表面的有效介电常数和磁导率，使其达到良好的吸收效果。