1.一种高长径比Si纳米线的制备方法，所述Si纳米线的长度达到0.5～1cm，不含其他6

杂质，长径比大于10，其特征在于，其包括以下工序：原料纯Si粉放置工序，将纯Si粉平铺于载物舟底，载物舟上方盖石墨片封口，将坩埚舟放入到真空管式炉的石英管中，载物舟使用刚玉舟；所述原料纯Si粉的粒径尺寸为20nm～

45μm；

‑5

压力控制工序，将真空管式炉真空抽至低于2.5×10 mbar之后，在炉内通入还原性载流气体，将压力控制为m压力值，m取值在0.05MPa～0.1013Mpa之间；还原性载流气体为Ar和H2组成的混合气体，其中Ar的体积百分数为97％～99％，H2的体积百分数为1～3％；

升温工序，将真空管式炉从室温升温至t温度，t取值为1200～1300℃；

Si纳米线生长工序，保持温度t和压力m不变，维持1.5～4.5小时，进行Si纳米线生长；

以及

降温工序，将真空管式炉以低于5℃/min的降温速度从t温度缓慢降温至1000℃，再从

1000℃降温至室温，1000℃～300℃的降温速率为5℃/min；

由此获得生长于石墨片上的Si纳米线。

2.根据权利要求1中的高长径比Si纳米线的制备方法，其特征在于，其中，还包括石墨片和载物舟的清洗工序，对石墨片和载物舟，依次用丙酮、酒精、去离子水超声震荡清洗至完全去除其上的污垢，之后进行干燥。

3.根据权利要求1中的高长径比Si纳米线的制备方法，其特征在于，其中，升温工序，t取值为1230～1270℃。

4.根据权利要求1中的高长径比Si纳米线的制备方法，其特征在于，其中，Si纳米线生长工序，保持温度t和压力m不变，维持1.5～2.5小时。

5.根据权利要求1中的高长径比Si纳米线的制备方法，其特征在于，其中，在降温工序中，将真空管式炉以低于3℃/min的降温速度从t温度缓慢降温至1000℃。