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专利号: 2020111651406
申请人: 燕山大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种石墨烯修饰的长程表面等离子体共振传感器芯片,其特征在于:包括传感器芯片基体(1),所述传感器芯片基体(1)为高折射率棱镜,所述传感器芯片基体(1)的上方依次镀有介质Cytop层(2)和半导体TDBC膜(3),所述半导体TDBC膜(3)上涂有石墨烯层(4)。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的长程表面等离子体共振传感器芯片,其特征在于:所述石墨烯层(4)的厚度小于等于1.7nm。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的长程表面等离子体共振传感器芯片,其特征在于:所述半导体TDBC膜(3)的厚度为2nm~5nm。

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的长程表面等离子体共振传感器芯片,其特征在于:所述介质Cytop层(2)的厚度为1800nm~2200nm。