1.一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，其特征在于：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时硫化，采用化学气相沉积的方法制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体；制备方法为：将S单质用刚玉舟置于多温区管式炉的上游，上游温度为130‑210℃，将WO3、NaCl的混合物、Cr和Si/SiO2基底用刚玉舟置于多温区管式炉的下游，所述WO3和NaCl的混合物位于刚玉舟的前端，Si/SiO2基底位于刚玉舟的后端，Cr位于WO3和NaCl的混合物与Si/SiO2基底之间，且单独分开放置，下游温度为880‑

980℃，在氩气的保护下，多温区管式炉管内压强为50‑200Pa下，进行加热硫化反应。

2.根据权利要求1所述的一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，其特征在于：所述的氩气的流量为20‑50sccm。

3.根据权利要求1所述的一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，其特征在于：所述硫化反应的升温时间为30‑50min，反应时间为20‑50min。

4.根据权利要求1所述的一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，其特征在于：所述方法还包括硫化反应前对所用样品沉积基底Si/SiO2用丙酮进行超声清洗，后用乙醇清洗，最后用N2吹干。

5.根据权利要求1所述的一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，其特征在于：所述方法还包括在硫化反应之前，采用氩气对多温区管式炉及刚玉舟进行清洗。