1.一种基于反向双锥非对称耦合的超宽带片上偏振分束旋转器，衬底(1)和位于衬底(1)顶部的输入和输出波导；其中衬底(1)为SOI结构，其特征在于：所述输入和输出波导包括输入引导波导(2)、输出引导波导(3)及输入锥形波导(4)和输出锥形波导(5)，均由硅材料组成；所述输入引导波导(2)、输出引导波导(3)在偏振模耦合区域(6)相互平行，所述输入锥形波导(4)和输出锥形波导(5)位于偏振模耦合区域并分别对应形成于输入引导波导(2)和输出引导波导(3)的顶部；所述输入锥形波导(4)的锥宽沿输入方向逐渐变窄，而输出锥形波导(5)的锥宽沿输入方向逐渐变宽，使得TM0模式注入时，因输入端TM0模式与cross端TE0模式的有效折射率曲线变化趋势相反实现两模式的有效折射率在波导某一截面上相等。

2.如权利要求1所述的一种基于反向双锥非对称耦合的超宽带片上偏振分束旋转器，其特征在于，所述输入引导波导(2)与输出引导波导(3)之间以空气间隙为媒介隔开。

3.如权利要求1所述的一种基于反向双锥非对称耦合的超宽带片上偏振分束旋转器，其特征在于，设偏振模耦合区域(6)的长度为Lc，输入引导波导(2)、输出引导波导(3)及输入锥形波导(4)和输出锥形波导(5)，输入引导波导(2)的宽度为Ws1，输出引导波导(3)的宽度为Ws2，输入锥形波导(4)的锥宽为Wt1，输出锥形波导(5)的锥宽为Wt2，则在输入端口上Wt1与Ws1相等，沿着Z方向线性减小，经过长度Lc后，Wt1变为零；cross端口上Wt2沿着Z方向从零线性变宽，经过长度Lc后，Wt2与Ws2相等。

4.如权利要求1所述的一种基于反向双锥非对称耦合的超宽带片上偏振分束旋转器，其特征在于，所述衬底(1)的硅层厚度Hco＝220nm，底层埋氧化物厚度为2μm。

5.如权利要求4所述的一种基于反向双锥非对称耦合的超宽带片上偏振分束旋转器，其特征在于，所述底层埋氧化物为二氧化硅。

6.如权利要求1所述的一种基于反向双锥非对称耦合的超宽带片上偏振分束旋转器，其特征在于，所述输入锥形波导(4)和输出锥形波导(5)分别基于输入引导波导(2)和输出引导波导(3)刻蚀形成，刻蚀最大深度均为Ht。

7.如权利要求1所述的一种基于反向双锥非对称耦合的超宽带片上偏振分束旋转器，其特征在于，所述输入引导波导(2)和输入锥形波导(4)的整体高度、输出引导波导(3)和输出锥形波导(5)的整体高度均为Hco。

8.如权利要求1所述的一种基于反向双锥非对称耦合的超宽带片上偏振分束旋转器，其特征在于，所述输入引导波导(2)的宽度Ws1＝1μm，输出引导波导(3)的宽度Ws2＝0.35μm，偏振模耦合区域(6)的长度Lc＝520μm，输入锥形波导(4)和输出锥形波导(5)的厚度Ht＝

0.07μm，输入引导波导(2)与输出引导波导(3)的间隙Wg＝0.12μm。