1.一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，包括有源区衬底，和设置在所述有源区衬底上的二极管本体，其特征在于：在所述有源区衬底上设有全反射镜和补偿反射镜结构，所述全反射镜设置在毗邻所述二极管本体的一侧上，该全反射镜通过在所述有源区衬底上表面刻蚀形成的第一V型凹槽，并让第一V型凹槽相对所述二极管本体的一面作为全反射镜的工作面，光线从入射面进入有源区衬底后经过该工作面全反射，且全反射的光线入射到所述二极管本体内；所述补偿反射镜是设置毗邻所述二极管本体的另一侧上，该补偿反射镜通过在所述有源区衬底侧面刻蚀形成的第二V型凹槽，并让第二V型凹槽相对所述二极管本体的一面作为补偿反射镜的工作面，从二极管本体反射出来的光线经过该补偿反射镜的工作面后重新反射回所述二极管本体上；

其中，设置所述补偿反射镜的工作面与有源区衬底右侧边界之间的夹角为19.4°。

2.根据权利要求1所述的一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，其特征在于：所述二极管本体包括依次相连的P金属接触层、扩散阻挡层、吸收层、收集层、N金属接触层以及P型掺杂薄层。

3.根据权利要求2所述的一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，其特征在于：所述P型掺杂薄层设置在所述收集层和所述N金属接触层中间。

4.根据权利要求2所述的一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，其

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特征在于：进入所述吸收层的入射光强不超过2×10W/cm。

5.根据权利要求2所述的一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，其特征在于:所述吸收层是采用P型单层渐变高掺杂吸收层。

6.根据权利要求1所述的一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，其特征在于:设置的所述第一V型凹槽和第二V型凹槽都是采用溴化氢湿化学刻蚀技术形成的晶体表面。

7.根据权利要求1所述的一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，其特征在于：设置所述全反射镜的工作面与有源区衬底表面之间的夹角为54.7°。

8.根据权利要求1所述的一种补偿反射镜集成的全反射式单行载流子光电二极管，其特征在于：所述有源区衬底的材料是InP。