1.一种基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：以Si3N4为基体，TiC为增强相，Al2O3和Y2O3为烧结助剂，将上述原料经湿法球磨混料和放电等离子烧结制备而成。

2.如权利要求1所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法中，所述原料的体积百分比如下：α-Si3N4 70-85％，TiC 5-15％，Al2O3 1-

6％，Y2O3 3-7％。

3.如权利要求2所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述TiC的体积百分比为7-10％，或所述Al2O3的体积百分比为2-4％，或所述Y2O3的体积百分比为4-6％。

4.如权利要求3所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述原料的体积百分比如下：α-Si3N4 82％，TiC 10％，Al2O3 4％，Y2O36％；

或，所述原料的体积百分比如下：α-Si3N4 82％，TiC 10％，Al2O3 3％，Y2O3 5％；

或，所述原料的体积百分比如下：α-Si3N4 75％，TiC 15％，Al2O3 4％，Y2O3 6％。

5.如权利要求3所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述α-Si3N4粉体平均粒径为0.5-1μm；

或，所述TiC粉体平均粒径为0.5-1μm；

或，所述Al2O3粉体平均粒径为0.5-2μm；

或，所述Y2O3粉体平均粒径为0.1-0.5μm。

6.如权利要求1所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤：(1)将α-Si3N4、TiC粉体分别加入分散介质中使其分散均匀得到α-Si3N4悬浮液及TiC悬浮液，将其混合得到复相悬浮液；

(2)称取α-Si3N4重量1-5wt％的分散剂，加入分散介质中溶解后将分散剂溶液加入上述复相悬浮液中，再添加Al2O3和Y2O3粉体使其分散均匀得到混合体系；

(3)将步骤(2)得到的混合体系转移至球磨罐中进行球磨；完成后的球磨液干燥后过筛得到混合粉料；

(4)将步骤(3)所述混合粉料装入模具成型，再进行放电等离子烧结。

7.如权利要求6所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)或(2)中，所述分散介质为包括但不限于无水乙醇或无水甲醇；

或，所述步骤(2)中，所述分散剂为包括但不限于聚乙二醇，具体的，为聚乙二醇6000；

或，所述步骤(3)中，所述球磨按照球料重量比10:0.5～1.5加入球磨球，在保护气氛下进行球磨40～50h；具体的，所述保护气氛为氮气；

或，所述步骤(3)中，所述球磨球为硬质合金小球YG6或YG8；

或，所述步骤(3)中，球磨液的干燥方式包括但不限于常压干燥、真空干燥、喷雾干燥或冷冻干燥中的一种；具体的，所述干燥采用真空干燥，80-120℃下干燥12-24小时；

或，所述步骤(3)中，球磨液干燥后经100-120目筛过筛，得到混合粉料；

或，所述步骤(4)中，所述放电等离子烧结参数：升温速率：在1300℃之前，90-110℃/min，高于1300℃，30-50℃/min；烧结温度1650-1750℃；保温时间20-35min，分别在1600℃和达到烧结温度后保温10-17min；轴向压力25-35MPa。

8.如权利要求7所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)按比例称取α-Si3N4、TiC粉体，分别加入适量的无水乙醇为分散介质，超声分散并机械搅拌10-20min，制得α-Si3N4悬浮液、TiC悬浮液，将两种悬浮液混合得到复相悬浮液；

(2)称取α-Si3N4重量的1-5wt％的聚乙二醇6000，以无水乙醇溶解后加入复相悬浮液中然后按比例添加Al2O3和Y2O3粉体，超声分散并机械搅拌30-50min；

(3)将步骤(2)所得的最终悬浮液倒入球磨罐，按照球料重量比10:1加入球磨球，在保护气氛下进行球磨48h，将球磨液在真空干燥箱80-120℃下干燥12-24小时，然后经100-120目筛过筛，得到混合粉料，密封保存备用；

(4)将步骤(3)得到的混合粉料装入石墨模具中，经冷压成型后放入放电等离子烧结炉中进行烧结。

9.权利要求1-8任一项所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法制备得到的Si3N4/TiC陶瓷材料。

10.权利要求9所述Si3N4/TiC陶瓷材料在生产切削工具、耐磨零件、插件以及航空工业用产品等领域的应用。