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专利号: 2020111899257
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,包括同轴天线、谐振腔体、石英钟罩、出气口、中心沉积台、边缘沉积台、观察窗、进气管、波导和短路活塞,其中,所述谐振腔体为卵圆形,所述波导和短路活塞设置在谐振腔体的顶部,所述同轴天线贯穿波导和谐振腔体的顶端,通过同轴天线将微波能量耦合进谐振腔体,同轴天线可上下移动;所述边缘沉积台设置在谐振腔体的中下部,可上下移动,所述中心沉积台设置在边缘沉积台的中间,可上下移动;所述石英钟罩设置在边缘沉积台,罩在中心沉积台上;所述进气管穿过谐振腔体的侧面和石英钟罩的顶部将气体送入石英钟罩;所述出气口设置在边缘沉积台,在中心沉积台的旁边;所述观察窗设置在谐振腔体的侧面,观察窗的下边缘与边缘沉积台在同一水平面。

2.根据权利要求1所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述短路活塞在水平方向左右移动,调整输入阻抗使得阻抗匹配。

3.根据权利要求1所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述谐振腔体的卵圆形的形状由参数方程 得到卵圆形的短轴x和长轴y,其中a为400,b为300,c为225。

4.根据权利要求1所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述气体包括氢气和甲烷。

5.根据权利要求4所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述气体还包括氮气、氩气和氨气。

6.根据权利要求1所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述同轴天线上下移动范围为20mm,同轴天线伸入波导中的部分由金属套管和金属杆组成,金属杆上端在金属套管中通过与其连接的聚四氟乙烯调节杆带动实现上下移动。

7.根据权利要求1所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述波导为bj26型。

8.根据权利要求1所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述进气管的直径为3mm。

9.根据权利要求1所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述出气口的孔径为5mm。

10.根据权利要求1所述的卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述边缘沉积台为圆盘状,与谐振腔体的形状匹配。