1.一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，特殊形貌为梯形、平行四边形、不规则四边形，其特征在于该方法包括以下步骤：将硫源、钼源、生长衬底采用限域空间化学气相沉积法，通过控制钼源与衬底之间空间使钼源与硫源蒸气反应，并在生长衬底上制备得到不同特殊形貌的二维MoS2薄片；

所述化学气相沉积法是在双温区水平管式炉中进行，按照气流方向依次设定为硫源区和沉积区两个温区，其中硫源区放置硫源，沉积区放置钼源、生长衬底。

2.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于生长衬底置于钼源的垂直上方位置，且衬底与钼源之间的垂直间距为0.8‑1.0毫米。

3.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于双温区水平管式炉内先将衬底所在温区升温至预热温度，再加热硫源所在温区，使衬底和S源所在温区同时达到各自的预设温度；预热温度为670‑690℃，衬底所在温区的预设温度为

890‑910℃，硫源温区的预设温度为260‑280℃。

4.如权利要求3所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于氩气的流量为80立方厘米/分钟。

5.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于硫源为粉末状升华硫，钼源为纳米级三氧化钼粉末，生长衬底为Si/SiO2的硅衬底。

6.如权利要求5所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于三氧化钼粉末的粒径小于100纳米。

7.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于沉积反应时间为15‑20分钟；两个温区的间距为18‑22厘米。

8.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于生长衬底在放置石英舟前进行洗净烘干，具体是将Si/SiO2衬底在丙酮溶液中浸渍10～15分钟，再在乙醇溶液中超声清洗10‑15分钟，随后用去离子水冲洗3～5次，最后利用高纯氮气吹干备用。

9.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于不同特殊形貌的二维MoS2薄片厚度为多层。

10.如权利要求1‑9任一方法制备得到的二维硫化钼晶体材料在作为晶体管的沟道材料的应用。