1.一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，特殊形貌为梯形、平行四边形、不规则四边形，其特征在于该方法包括以下步骤：将硫源、钼源、生长衬底采用限域空间化学气相沉积法，通过控制钼源与衬底之间空间使钼源与硫源蒸气反应，并在生长衬底上制备得到不同特殊形貌的二维MoS2薄片；生长衬底置于钼源的垂直上方位置，且衬底与钼源之间的垂直间距为0.8‑1.0毫米；

所述化学气相沉积法是在双温区水平管式炉中进行，按照气流方向依次设定为硫源区和沉积区两个温区，其中硫源区放置硫源，沉积区放置钼源、生长衬底。

2.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于双温区水平管式炉内先将衬底所在温区升温至预热温度，再加热硫源所在温区，使衬底和S源所在温区同时达到各自的预设温度；预热温度为670‑690℃，衬底所在温区的预设温度为

890‑910℃，硫源温区的预设温度为260‑280℃。

3.如权利要求2所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于氩气的流量为80立方厘米/分钟。

4.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于硫源为粉末状升华硫，钼源为纳米级三氧化钼粉末，生长衬底为Si/SiO2的硅衬底。

5.如权利要求4所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于三氧化钼粉末的粒径小于100纳米。

6.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于沉积反应时间为15‑20分钟；两个温区的间距为18‑22厘米。

7.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于生长衬底在放置石英舟前进行洗净烘干，具体是将Si/SiO2衬底在丙酮溶液中浸渍10~15分钟，再在乙醇溶液中超声清洗10‑15分钟，随后用去离子水冲洗3 5次，最后利用高纯氮气吹~

干备用。

8.如权利要求1所述的一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于不同特殊形貌的二维MoS2薄片厚度为多层。